01aB11 GaN/GaN(001)における成長初期過程の理論検討(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
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概要
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We carried out theoretical analyses based on the ab initio calculations incorporates free energy of vapor phase in order to find the initial growth process of cubic GaN in GaN(001)-(4x1). The results suggest that N attached structure appears at the initial growth stage, and then Ga adsorbs on the N attached GaN(001)-(4x1) surface. Considering these process, we performed Monte Carlo simulations. The results imply that maximum point of Ga coverage after 1/32 monolayer supply shifted toward Ga-rich condition from V/III=1.0.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2006-11-01
著者
-
寒川 義裕
九州大学応用力学研究所
-
伊藤 智徳
三重大学工学部理工学科
-
秋山 亨
三重大学大学院工学研究科
-
白石 賢二
NTT物性科学基礎研究所
-
柿本 浩一
九州大学応用力学研究所
-
松尾 有里子
九州大学応用力学研究所
-
秋山 亨
三重大学工学部
-
白石 賢二
筑波大学物理学系
-
白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科物質創成先端科学専攻
-
伊藤 智徳
三重大学工学部物理工学科
-
寒川 義裕
九州大学応用力学研究所:九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻
-
秋山 亨
三重大学工学研究科
-
伊藤 智徳
三重大学工学研究科
-
寒川 義裕
九大・応力研
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