27aB06 InGaN光励起MOVPEにおける薄膜物性の光強度依存性(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
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概要
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We carried out Nd: YAG pulse laser assisted MOVPE of InGaN at low temperatures in order to form the films with high indium mole fraction. The results suggest that reaction rate between group-III source gas and ammonia at growth surface is enhanced by the pulse laser irradiation. Moreover, it is found that pulse laser irradiation may enhance the surface migration of the elements, and crystalline quality becomes good.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
寒川 義裕
九州大学応用力学研究所
-
熊谷 義直
東京農工大学大学院・工学系
-
纐纈 明伯
東京農工大学大学院・工学系
-
寒川 義裕
東京農工大学大学院工学系
-
纐纈 明伯
東京農工大
-
河口 紀仁
東京農工大学大学院工学系
-
岡田 安史
東京農工大学大学院工学系
-
河口 紀仁
東京農工大学大学院工学系:石川島播磨重工業(株)技術開発本部
-
寒川 義裕
九州大学応用力学研究所:九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻
-
熊谷 義直
東京農工大学大学院工学研究院
-
寒川 義裕
九大・応力研
-
熊谷 義直
東京農工大学
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