17pB02 AlCl_3固体原料を用いたAlN成長(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
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概要
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Hydride vapor phase epitaxy (HVPE) of AlN has been performed using AlCl_3 precursor, which is generated by the reaction between metallic Al and HCl. If high-grade AlCl_3 powder can be obtained, a new HVPE of AlN with mass production potential is possible. We found that high quality layers of AlN were grown using the solid AlCl_3 source.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2005-08-17
著者
-
村上 尚
東京農工大学大学院・工学系
-
熊谷 義直
東京農工大学大学院・工学系
-
纐纈 明伯
東京農工大学大学院・工学系
-
村上 尚
東京農工大学
-
江里口 健一
東京農工大学大学院工学系ナノ未来科学研究拠点
-
石井 健一
東京農工大学大学院工学系ナノ未来科学研究拠点
-
大平 重男
日本軽金属(株)グループ技術センター
-
纐纈 明伯
東京農工大
-
大平 重男
日本軽金属(株)
-
Koukitu Akinori
Department Of Industrial Chemistry Faculty Of Technology Tokyo University Of Agriculture And Technol
-
熊谷 義直
東京農工大学大学院工学研究院
-
纐纈 明伯
東京農工大学大学院工学研究院応用化学部門
-
熊谷 義直
東京農工大学
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