Fabrication of Semi-Insulating GaN Wafers by Hydride Vapor Phase Epitaxy of Fe-Doped Thick GaN Layers Using GaAs Starting Substrates

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概要

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• Japan Society of Applied Physicsの論文
• 2005-12-25

著者

• 川添 良幸

  東北大 金属材料研

• Murakami H

  Institute For Molecular Science

• Kobayashi Y

  Tokai Univ. Kanagawa Jpn

• Kumagai Y

  Department Of Electrical And Information Engineering Faculty Of Engineering Yamagata University

• Kobayashi Y

  Ntt Basic Research Lab. Kanagawa

• Kobayashi Y

  Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. Kyoto Jpn

• Murakami Hisashi

  Department Of Applied Chemistry Graduate School Of Engineering Tokyo University Of Agriculture And T

• TAKEMOTO Kikurou

  Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and

• MURAKAMI Hisashi

  Strategic Research Initiative for Future Nano-Science and Technology, Institute of Symbiotic Science

• KUMAGAI Yoshinao

  Strategic Research Initiative for Future Nano-Science and Technology, Institute of Symbiotic Science

• KOUKITU Akinori

  Strategic Research Initiative for Future Nano-Science and Technology, Institute of Symbiotic Science

• Koukitu Akinori

  Department Of Industrial Chemistry Faculty Of Technology Tokyo University Of Agriculture And Technol

• Kumagai Y

  Hitachi Ltd. Ibaraki Jpn

• Kumagai Yoshinao

  Institute Of Materials Science University Of Tsukuba

• Kangawa Yoshihiro

  Department Of Applied Chemistry Tokyo University Of Agriculture And Technology

• Murakami H

  Department Of Applied Chemistry Graduate School Of Engineering Tokyo University Of Agriculture And T

• Takemoto Kikurou

  Itami Research Laboratories Sumitomo Electric Industries Ltd.

• 纐纈 明伯

  東京農工大学大学院工学研究院応用化学部門

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