熊谷 義直 | 東京農工大学大学院工学研究院
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概要
関連著者
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熊谷 義直
東京農工大学大学院工学研究院
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熊谷 義直
東京農工大学大学院・工学系
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纐纈 明伯
東京農工大
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纐纈 明伯
東京農工大学大学院・工学系
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Koukitu Akinori
Department Of Industrial Chemistry Faculty Of Technology Tokyo University Of Agriculture And Technol
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纐纈 明伯
東京農工大学大学院工学研究院応用化学部門
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熊谷 義直
東京農工大学
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寒川 義裕
九州大学応用力学研究所
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寒川 義裕
九州大学応用力学研究所:九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻
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寒川 義裕
九大・応力研
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寒川 義裕
東京農工大学大学院工学系
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村上 尚
東京農工大学
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松尾 有里子
九州大学応用力学研究所
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松尾 有里子
東京農工大工学部
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松尾 有里子
東京農工大学工学部
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富樫 理恵
東京農工大学大学院・工学系
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村上 尚
東京農工大学大学院・工学系
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入澤 寿美
学習院大学
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入澤 寿美
学習院大計セ
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田中 健
東京農工大学大学院応用化学専攻
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横山 悦郎
学習院大
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北村 雅夫
京大・院・理
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横山 悦郎
学習院大学計算機センター
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北村 雅夫
京大理
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北村 雅夫
京都大学理学部地質鉱物教室
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北村 雅夫
京都大
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佐藤 史隆
東京農工大学大学院・工学系
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菊地 潤
東京農工大学大学院・工学系
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佐藤 史隆
東京農工大学大学院 工学系
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入澤 寿美
学習院大
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松本 喜以子
東京農工大・工
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松本 喜以子
学習院大計セ
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田中 健
東京農工大学大学院・工学系
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田中 健
東京農工大 大学院
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石橋 隆幸
長岡技術科学大学工学部
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飯原 順次
住友電工(株)解析技術研究センター
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山口 浩司
住友電工(株)解析技術研究センター
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佐藤 勝昭
東京農工大学工
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鈴木 ひかり
東京農工大学大学院 工学系
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寒川 義裕
九州大学 応用力学研究所 基礎力学部門
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佐藤 勝昭
東京農工大学
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山根 貴好
東京農工大学大学院 工学系
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秋山 和博
東京農工大学大学院 工学系
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江里口 健一
東京農工大学大学院工学系ナノ未来科学研究拠点
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石井 健一
東京農工大学大学院工学系ナノ未来科学研究拠点
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大平 重男
日本軽金属(株)グループ技術センター
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Sato K
Faculty Of Engineering Fukui University Of Technology
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石橋 隆幸
東京農工大学
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石橋 隆幸
長岡技術科学大学 工学部
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大平 重男
日本軽金属(株)
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関 壽
東京農工大学・工
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関 寿
農工大
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Satoh K
Faculty Of Engineering Fukui University Of Technology
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石橋 隆幸
東京農工大学大学院工学教育部
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Sato K
Department Of Physics Faculty Of Science Toyama University
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Sato Kiyoo
College Of Liberal Arts Toyama University
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Satoh K
Univ. Electro‐communications Tokyo
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稲葉 克彦
株式会社リガク
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関 壽
(株)巴商会 技術本部 横浜研究所
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藤野 真理恵
東京農工大学大学院工学系
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河口 紀仁
東京農工大学大学院工学系
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岡田 安史
東京農工大学大学院工学系
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岩本 智行
東京農工大学大学院工学系
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野間 かおり
東京農工大学大学院工学系
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Satoh K
Mitsui Engineering Ship Building Co. Ltd. Tamano Jpn
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佐藤 勝昭
東京農工大
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河口 紀仁
東京農工大学大学院工学系:石川島播磨重工業(株)技術開発本部
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花岡 幸史
東京農工大学大学院工学研究院応用化学部門
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稲葉 克彦
株式会社リガクx線研究所
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SATO Kazutaka
Physics Laboratory,Aichi Prefectural Junior College of Nursing
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石橋 隆幸
東京農工大
著作論文
- 01aA12 GaAs初期基板上半絶縁性GaN成長に向けたFeドーピングメカニズムの解明(半導体バルク(3),第36回結晶成長国内会議)
- 01aA11 HVPE法を用いたAlGaN三元混晶エピタキシー(半導体バルク(3),第36回結晶成長国内会議)
- 17pB02 AlCl_3固体原料を用いたAlN成長(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
- 17pB04 ハライド気相成長法によるAl_xGa_N成長の熱力学解析 : キャリアガス中水素分圧の影響(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
- 26aC03 II-IV-V_2族磁性半導体薄膜のMBE成長に向けた理論検討(スピンエレクトロニクス材料,第34回結晶成長国内会議)
- 27aB03 様々な窒素源を用いたMOVPE法によるInNおよびInGaNの成長の熱力学解析(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
- 熱力学解析による化合物半導体の気相成長 (特集 ワイドギャップ半導体の結晶成長技術--高度環境・エネルギー社会に向けて)
- 01aC08 GaN(0001)/(000-1)面の表面再構成面の解析(結晶成長基礎(2),第36回結晶成長国内会議)
- 17pC12 二成分完全固溶体結晶の実効分配係数の成長条件依存(結晶成長理論,第35回結晶成長国内会議)
- 化合物半導体気相成長の熱力学
- ハイドライド気相成長法によるAl系窒化物の高速成長 : AlNのHVPE成長は可能か?(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- ハイドライド気相成長法によるAl系窒化物の高速成長 : AlNのHVPE成長は可能か?(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- ハイドライド気相成長法によるAl系窒化物の高速成長 : AlNのHVPE成長は可能か?(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 27aB01 GaN/GaPヘテロ成長と基板面方位(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
- 27aB02 第一原理計算によるIn系窒化物原料の熱力学データ(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
- 27aB06 InGaN光励起MOVPEにおける薄膜物性の光強度依存性(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
- 25aC03 表面光吸収法によるGaAs(111)A面からのAs脱離過程のその場観察(結晶評価・その場観察(1),第34回結晶成長国内会議)
- 26aC07 完全固溶体における実効分配係数の結合エネルギー依存性(結晶成長基礎,第34回結晶成長国内会議)
- 第一原理計算による常圧H_2雰囲気下におけるGaAs(111)A面の表面構造相転移(結晶成長理論I)
- 5th International Workshop on Crystal Growth Technology(IWCGT-5)参加報告
- In系窒化物半導体のMOVPEおよびHVPE成長(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
- 新材料部会講演 窒化物化合物半導体の厚膜結晶成長技術 : HVPE成長を中心にして