ハイドライド気相成長法によるAl系窒化物の高速成長 : AlNのHVPE成長は可能か?(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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概要
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AlNのハイドライド気相成長(HVPE)の実現のため,石英反応管と反応しない三塩化アルミニウム(AlCl_3)が金属AlとHClガスとの反応で優先発生する条件を熱力学解析および実際の反応実験から検討した.Al原料部を500℃程度の低温に保持することで,キャリアガスによらずAlCl_3が優先発生することが分かった.この結果を基にAlCl_3とNH_3を原料とするAlNのHVPE装置を構築し,サファイア基板上に1100℃でAlN成長を試みた.AlCl_3供給分圧2.0×10^<-3>atm,V/III比2の条件でAlNが最高122μm/hの速度で成長した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-14
著者
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熊谷 義直
東京農工大学大学院・工学系
-
纐纈 明伯
東京農工大学大学院・工学系
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纐纈 明伯
東京農工大
-
Koukitu Akinori
Department Of Industrial Chemistry Faculty Of Technology Tokyo University Of Agriculture And Technol
-
熊谷 義直
東京農工大学大学院工学研究院
-
纐纈 明伯
東京農工大学大学院工学研究院応用化学部門
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