Preparation of a Freestanding AIN Substrate from a Thick AIN Layer Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy on a Bulk AIN Substrate Prepared by Physical Vapor Transport
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概要
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- Japan Society of Applied Physicsの論文
- 2012-05-25
著者
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川添 良幸
東北大学金属材料研究所
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川添 良幸
東北大 金属材料研
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Murakami Hisashi
Department Of Applied Chemistry Graduate School Of Engineering Tokyo University Of Agriculture And T
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Murakami Hisashi
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Technoloty Tokyo University Of Agricultrue And Technoloty
-
Koukitu Akinori
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Technology Tokyo University Of Agriculture And Technology
-
Kangawa Yoshihiro
Department Of Applied Chemistry Tokyo University Of Agriculture And Technology
-
Murakami H
Department Of Applied Chemistry Graduate School Of Engineering Tokyo University Of Agriculture And T
-
Nagashima Toru
Tsukuba Research Laboratories Tokuyama Corporation
-
Kumagai Yoshinao
Department Of Applied Chemistry Graduate School Of Engineering Tokyo University Of Agriculture And T
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纐纈 明伯
東京農工大学大学院工学研究院応用化学部門
-
Nagashima Toru
Department Of Applied Chemistry Tokyo University Of Agriculture And Technology
-
KUBOTA Yuki
Tsukuba Research Laboratories, Tokuyama Corporation
-
KINOSHITA Toru
Tsukuba Research Laboratories, Tokuyama Corporation
-
DALMAU Rafael
HexaTech, Inc.
-
SCHLESSER Raoul
HexaTech, Inc.
-
MOODY Baxter
HexaTech, Inc.
-
XIE Jinqiao
HexaTech, Inc.
-
SITAR Zlatko
HexaTech, Inc.
-
Sitar Zlatko
Hexatech Inc.
-
Kubota Yuki
Tsukuba Research Laboratories Tokuyama Corporation
-
Xie Jinqiao
Hexatech Inc.
-
Moody Baxter
Hexatech Inc.
-
Dalmau Rafael
Hexatech Inc.
-
Schlesser Raoul
Hexatech Inc.
-
Kinoshita Toru
Tsukuba Research Laboratories Tokuyama Corporation
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