17pB04 ハライド気相成長法によるAl_xGa_<1-x>N成長の熱力学解析 : キャリアガス中水素分圧の影響(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
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概要
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Thermodynamic analysis for the halide vapor phase epitaxy (HVPE) of Al_xGa_<1-x>N was performed. We found that the hydrogen (H_2) in the carrier gas played an important role to control the solid composition of the alloy. The solid composition x in Al_xGa_<1-x>N can be controlled by changing the H_2 mole fraction in the carrier gas under a fixed low Al input ratio.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2005-08-17
著者
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村上 尚
東京農工大学大学院・工学系
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熊谷 義直
東京農工大学大学院・工学系
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纐纈 明伯
東京農工大学大学院・工学系
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村上 尚
東京農工大学
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菊地 潤
東京農工大学大学院・工学系
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纐纈 明伯
東京農工大
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Koukitu Akinori
Department Of Industrial Chemistry Faculty Of Technology Tokyo University Of Agriculture And Technol
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熊谷 義直
東京農工大学大学院工学研究院
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纐纈 明伯
東京農工大学大学院工学研究院応用化学部門
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