InGaN/GaNおよびInGaN/InN気相成長における気相-固相関係 : 結晶成長理論シンポジウム
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概要
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Thermodynamic analyses were carried out to understand compositional instability of InGaN/GaN and InGaN/InN in the MBE growth. In the thermodynamic analysis, contribution of lattice constraint from bottom layer was incorporated using enthalpy of mixing of InGaN/GaN and InGaN/InN, ΔH_m^<InGaN/GaN> and ΔH_m^<InGaN/InN>, which can be obtained by empirical interatomic potential calculations. The results suggest that compositional unstable region for InGaN/InN shifted toward Ga-rich side compared with that for InGaN/GaN. This implies that homogeneous InGaN thin films with large indium mole fraction is possible to form on InN substrate.
- 2002-07-01
著者
-
寒川 義裕
九州大学応用力学研究所
-
熊谷 義直
東京農工大学大学院・工学系
-
寒川 義裕
東京農工大学大学院工学系
-
纐纈 明伯
東京農工大
-
寒川 義裕
九州大学応用力学研究所:九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻
-
伊藤 智徳
三重大学工学研究科
-
寒川 義裕
九大・応力研
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