InGaNの非混和性に対する基板拘束の寄与 : 成長界面III
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概要
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We carried out excess energy calculations for bulk InGaN, InGaN/GaN and lnGaN/InN in order to investigate the contribution of lattice constraint from the bottom layer to the compositional instability of InGaN. In the epi-layers, asynmetric nature of the excess energy curves as a function of composition is emphasized compared with that for bulk The results suggest that incorporating the contribution of the lattice constraint is indipensable to predict the compositional instability for InGaN grown on substrates.
- 2000-07-01
著者
-
寒川 義裕
九州大学応用力学研究所
-
伊藤 智徳
三重大学工学部理工学科
-
森 篤史
徳島大学工学部
-
纐纐 明伯
東京農工大学工学部応用分子化学科
-
寒川 義裕
学習院大学計算機センター
-
纐纈 明伯
東京農工大学工学部応用分子化学科
-
伊藤 智徳
三重大学工学部物理工学科
-
寒川 義裕
九州大学応用力学研究所:九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻
-
伊藤 智徳
三重大学工学研究科
-
寒川 義裕
九大・応力研
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