固体原料を用いたAlN溶液成長法に関する研究(<特集>次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
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概要
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AlGaNを用いた深紫外LED開発に向けて,高品質AlN基板の作製が期待されている.本解説では,AlN溶液成長技術の開発に焦点を当て,同分野の最近の研究成果を紹介する.具体的には,AlN溶液成長は従来,窒素ガスを窒素原料として行われてきたが,最近,室温で固体の窒素化合物(Li_3N,融点813℃)を原料とする溶液成長技術が提案され,厚膜が得られるようになってきているので,その手法と得られる結晶の品質について従来法と比較しながら概説する.
著者
-
寒川 義裕
九州大学応用力学研究所
-
柿本 浩一
九州大学応用力学研究所
-
桑野 範之
九州大学産学連携センター
-
Kuwano Noriyuki
Department Of Materials Science And Technology Kyushu University
-
Epelbaum Boris
Department Of Materials Science 6 University Of Erlangen
-
寒川 義裕
九州大学応用力学研究所:科学技術振興機構さきがけ
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