寒川 義裕 | 九州大学応用力学研究所

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概要

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関連著者

• 寒川 義裕

  九州大学応用力学研究所

• 寒川 義裕

  九州大学応用力学研究所:九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻

• 寒川 義裕

  九大・応力研

• 纐纈 明伯

  東京農工大

• 纐纈 明伯

  東京農工大学大学院・工学系

• 柿本 浩一

  九州大学応用力学研究所

• 寒川 義裕

  東京農工大学大学院工学系

• 熊谷 義直

  東京農工大学大学院・工学系

• 伊藤 智徳

  三重大学工学研究科

• 寒川 義裕

  九州大学応用力学研究所:科学技術振興機構さきがけ

• Koukitu Akinori

  Department Of Industrial Chemistry Faculty Of Technology Tokyo University Of Agriculture And Technol

• 伊藤 智徳

  三重大学工学部物理工学科

• 熊谷 義直

  東京農工大学大学院工学研究院

• 纐纈 明伯

  東京農工大学大学院工学研究院応用化学部門

• 伊藤 智徳

  三重大学工学部理工学科

• 松尾 有里子

  九州大学応用力学研究所

• 熊谷 義直

  東京農工大学

• 松尾 有里子

  東京農工大工学部

• 松尾 有里子

  東京農工大学工学部

• 入澤 寿美

  学習院大学

• 入澤 寿美

  学習院大計セ

• 伊藤 智徳

  三重大工

• 白石 賢二

  NTT物性科学基礎研究所

• 柿本 浩一

  九大応力研

• 河村 貴宏

  九大院工

• 寒川 義裕

  九大応力研

• 白石 賢二

  筑波大学数理物質科学研究科物質創成先端科学専攻

• 寒川 義裕

  学習院大学計算機センター

• 秋山 亨

  三重大学大学院工学研究科

• 寒川 義裕

  九州大学 応用力学研究所 基礎力学部門

• 白石 賢二

  筑波大学物理学系

• 中野 智

  九州大学応用力学研究所

• Bing Gao

  九州大学応用力学研究所

• 田中 健

  東京農工大学大学院応用化学専攻

• 沖 憲典

  九州大学大学院総合理工学研究科院

• 柿本 浩一

  九州大学 応用力学研究所 基礎力学部門

• 伊藤 智徳

  三重大学 工学部 物理工学科

• 菊地 潤

  東京農工大学大学院・工学系

• 桑野 範之

  九州大学産学連携センター

• 森 篤史

  徳島大工

• 沖 憲典

  九州大学 大学院総合理工学研究院

• Oki Kensuke

  Department Of Materials Science And Technology Graduate School Of Engineering Sciences Kyusyu Univer

• 沖 憲典

  九州大学総理工

• 田中 健

  東京農工大学大学院・工学系

• 田中 健

  東京農工大 大学院

• 寒川 義裕

  九州大学大学院総合理工学研究科

• 原田 博文

  物質・材料研究機構

• 福山 博之

  東北大学多元物質科学研究所

• 中村 浩次

  三重大工

• 石橋 隆幸

  長岡技術科学大学工学部

• 白石 賢二

  筑波大学数理物質科学研究科

• 宇田 聡

  東北大学金属材料研究所

• 富樫 理恵

  東京農工大学大学院・工学系

• 佐藤 勝昭

  東京農工大学工

• 山口 真史

  豊田工業大学大学院工学研究科極限材料専攻

• 鈴木 泰之

  三重大学大学院工学研究科

• 田口 明仁

  NTT物性基礎研

• 桑野 範之

  九州大学先端科学技術共同研究センター

• 小竹 茂夫

  三重大学工学部

• 宇田 聡

  東北大学

• 宇田 聡

  三菱マテリアル

• 小竹 茂夫

  三重大・工

• 伊藤 智徳

  三重大・工

• 大鉢 忠

  同志社大学工学部

• 伊藤 智徳

  三重大学大学院工学研究科物理工学専攻

• 松尾 整

  九州大学応用力学研究所

• 河村 貴宏

  九州大学応用力学研究所

• 新船 幸二

  豊田工業大学

• 大下 祥雄

  豊田工業大学

• 秋山 亨

  三重大学工学部

• 森 篤史

  徳島大学工学部

• 佐藤 勝昭

  東京農工大学

• 山口 真史

  豊田工業大学

• 山口 真史

  豊田工業大学大学院工学研究科

• Sato K

  Faculty Of Engineering Fukui University Of Technology

• 大鉢 忠

  同志壮大学工学部

• 桑野 範之

  九州大学大学院総理工学研究科

• 大鉢 忠

  同志社大・理

• 石橋 隆幸

  東京農工大学

• 鈴木 泰之

  三重大 大学院工学研究科

• 石橋 隆幸

  長岡技術科学大学 工学部

• Laird B

  Univ. Kansas

• 纐纐 明伯

  東京農工大学工学部応用分子化学科

• 関 壽

  東京農工大学・工

• 関 寿

  農工大

• 神谷 和孝

  三重大

• 伊藤 智徳

  三重大学大学院工学研究科

• 伊藤 智徳

  Ntt厚木通研

• 伊藤 智徳

  NTT LSI研究所

• Satoh K

  Faculty Of Engineering Fukui University Of Technology

• 石橋 隆幸

  東京農工大学大学院工学教育部

• Laird Brian

  カンザス大

• Sato K

  Department Of Physics Faculty Of Science Toyama University

• Sato Kiyoo

  College Of Liberal Arts Toyama University

• Satoh K

  Univ. Electro‐communications Tokyo

• 平岡 佳子

  (株)東芝研究開発センター

• 関 壽

  (株)巴商会 技術本部 横浜研究所

• 藤野 真理恵

  東京農工大学大学院工学系

• 河口 紀仁

  東京農工大学大学院工学系

• 岡田 安史

  東京農工大学大学院工学系

• 岩本 智行

  東京農工大学大学院工学系

• 野間 かおり

  東京農工大学大学院工学系

• Satoh K

  Mitsui Engineering Ship Building Co. Ltd. Tamano Jpn

• 中村 浩次

  三重大学大学院工学研究科

• 平岡 佳子

  東芝 研開セ

• Kuwano Noriyuki

  Department Of Materials Science And Technology Kyushu University

• 佐藤 勝昭

  東京農工大

• 纐纈 明伯

  東京農工大学工学部応用分子化学科

• 河口 紀仁

  東京農工大学大学院工学系:石川島播磨重工業(株)技術開発本部

• Gao Bing

  九州大学応用力学研究所

• 川野 潤

  九州大学応用力学研究所

• 屋山 巴

  九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻

• 伊藤 智徳

  NTT システムエレクトロニクス研究所

• Epelbaum Boris

  Department Of Materials Science 6 University Of Erlangen

• 秋山 亨

  三重大学工学研究科

• 大下 祥雄

  豊田工業大学大学院工学研究科

• 大下 祥雄

  豊田工業大学 大学院工学研究科

• 山口 真史

  豊田工業大学 大学院工学研究科

• 桑野 範之

  九州大学大学院総合理工学府

• 嘉数 誠

  佐賀大学グリーンエレクトロニクス研究所大学院工学系研究科

• 嘉数 誠

  佐賀大学グリーンエレクトロニクス研究所

• SATO Kazutaka

  Physics Laboratory,Aichi Prefectural Junior College of Nursing

• 石橋 隆幸

  東京農工大

• 伊藤 智徳

  三重大学大学院 工学研究科

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著作論文

• 『結晶成長を支える高温熱物性計測技術の進展』によせて(特集序文)
• 立方晶GaNの成長過程と構造安定性(安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)
• InGaN混晶半導体における原子配列の理論的検討
• 分子動力学法による機能性材料の熱伝導率解析
• 03aC14 一方向凝固多結晶シリコンのラマン散乱による応力解析(結晶評価・その場観察(2),第36回結晶成長国内会議)
• 02aB13 単層及び多層カーボンナノチューブの熱伝導率解析(ナノ粒子、ナノ構造(1),第36回結晶成長国内会議)
• 01pB01 GaN/AlN量子ドットの熱伝導率解析(半導体エピ(3),第36回結晶成長国内会議)
• 01aB11 GaN/GaN(001)における成長初期過程の理論検討(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
• 26aC03 II-IV-V_2族磁性半導体薄膜のMBE成長に向けた理論検討(スピンエレクトロニクス材料,第34回結晶成長国内会議)
• 27aB03 様々な窒素源を用いたMOVPE法によるInNおよびInGaNの成長の熱力学解析(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
• HVPE法を用いたAlNの成長は可能か?(AlN結晶成長シンポジウム)
• GaAs表面構造の安定性に対する量子論的アプローチ
• GaAsエピタキシャル成長における吸着-脱離現象への理論的アプローチ(結晶成長理論の最近の動向)
• IV族混晶半導体の熱力学的安定性(IV族系半導体結晶・混晶の新たなる展開)
• 化合物半導体気相成長の熱力学
• 27aB01 GaN/GaPヘテロ成長と基板面方位(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
• 27aB02 第一原理計算によるIn系窒化物原料の熱力学データ(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
• 27aB06 InGaN光励起MOVPEにおける薄膜物性の光強度依存性(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
• 25aC03 表面光吸収法によるGaAs(111)A面からのAs脱離過程のその場観察(結晶評価・その場観察(1),第34回結晶成長国内会議)
• 第一原理計算による常圧H_2雰囲気下におけるGaAs(111)A面の表面構造相転移(結晶成長理論I)
• 気相の自由エネルギーを考慮した第一原理計算による立方晶GaN気相成長の成長初期過程解析
• 常圧H_2雰囲気下におけるGaAs(001)面からのAs脱離過程と(2×4)再構成面の形成機構 : 結晶成長理論シンポジウム
• GaNおよびInN基板上のInGaNの混晶相図作製のモンテカルロシミュレーション : 結晶成長理論シンポジウム
• 507 c-BN 及び h-BN 薄膜の構造安定性に対する基板拘束の寄与
• InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響
• InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響
• InGaN薄膜における自然超格子構造(窒化物半導体結晶)
• InGaN気相成長における気相-固相関係に対する基板拘束の影響(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
• InGaN/GaNおよびInGaN/InN気相成長における気相-固相関係 : 結晶成長理論シンポジウム
• InGaNの非混和性に対する基板拘束の寄与 : 成長界面III
• ナイトライド半導体の構造安定性への原子間ポテンシャルの適用 : 成長界面III
• 原子間ポテンシャルを用いた InGaAs/ (110) InP 混晶中に出現する CuAu-I 型規則構造形成機構の理論的解析
• 17aB11 分子動力学法による格子欠陥を考慮したGaNの熱伝導率解析(半導体エピ(2),第35回結晶成長国内会議)
• 17aB12 分子動力学法によるAlN/GaN超格子の熱伝導率解析(半導体エピ(2),第35回結晶成長国内会議)
• 17pB03 InGaN組成不安定性のモンテカルロ法による解析(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
• GaAsN気相エピタキシーにおける混晶組成の理論的検討(どのように結晶成長現象をモデル化するか?)
• 半導体バルク結晶成長における熱と物質の輸送と成長速度との関係(どのように結晶成長現象をモデル化するか?)
• 第3回窒化物半導体結晶成長講演会 : 窒化物半導体の応用・評価および結晶成長基礎(会議報告)
• 23aB10 原子間ポテンシャルを用いたInGaAs/(110)InPにおけるCuAu-I型規則化メカニズムの解析(エピタキシャル成長II)
• GaNホモエピタキシャル成長における成長初期過程の理論検討(窒化物半導体結晶)
• 固体原料を用いたAlN溶液成長法に関する研究(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
• 高効率シリコン太陽電池の実現に向けて(スクウェアタイプの太陽電池用Si結晶の作製)
• ダイヤモンド成長(特集序文)
• 高効率シリコン太陽電池の実現に向けて

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