26aC03 II-IV-V_2族磁性半導体薄膜のMBE成長に向けた理論検討(スピンエレクトロニクス材料,第34回結晶成長国内会議)

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概要

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• CdGeP_2:Mn and ZnGeP_2:Mn semiconductors promise to be a very prominent for the use in spin electronics. However, the growth conditions for these materials during molecular beam epitaxy (MBE) are not known despite its importance for spin electronics purposes. In order to fabricate the epilayers, we investigate the possibility of MBE of these materials using thermodynamic analysis.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2004-08-25

著者

• 石橋 隆幸

  長岡技術科学大学工学部

• 寒川 義裕

  九州大学応用力学研究所

• 熊谷 義直

  東京農工大学大学院・工学系

• 纐纈 明伯

  東京農工大学大学院・工学系

• 佐藤 勝昭

  東京農工大学工

• 佐藤 勝昭

  東京農工大学

• Sato K

  Faculty Of Engineering Fukui University Of Technology

• 石橋 隆幸

  東京農工大学

• 寒川 義裕

  東京農工大学大学院工学系

• 石橋 隆幸

  長岡技術科学大学 工学部

• 纐纈 明伯

  東京農工大

• Satoh K

  Faculty Of Engineering Fukui University Of Technology

• 石橋 隆幸

  東京農工大学大学院工学教育部

• Sato K

  Department Of Physics Faculty Of Science Toyama University

• Sato Kiyoo

  College Of Liberal Arts Toyama University

• Satoh K

  Univ. Electro‐communications Tokyo

• Satoh K

  Mitsui Engineering Ship Building Co. Ltd. Tamano Jpn

• 佐藤 勝昭

  東京農工大

• 寒川 義裕

  九州大学応用力学研究所:九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻

• 熊谷 義直

  東京農工大学大学院工学研究院

• 寒川 義裕

  九大・応力研

• SATO Kazutaka

  Physics Laboratory,Aichi Prefectural Junior College of Nursing

• 石橋 隆幸

  東京農工大

• 熊谷 義直

  東京農工大学

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