26aC02 MnGeP_2薄膜の分子線エピタキシー成長(スピンエレクトロニクス材料,第34回結晶成長国内会議)
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概要
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Novel ternary compound MnGeP_2 thin films have been prepared on and InP(001) substrates by molecular beam epitaxy (MBE) technique. X-ray analysis suggest that the crystal structure of grown film was a tetragonal of lattice constants α=0.569nm and c=1.130nm with the c-axis perpendicular to the InP (001) plane.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
石橋 隆幸
長岡技術科学大学工学部
-
佐藤 勝昭
東京農工大学工
-
南 和幸
東京農工大学
-
佐藤 勝昭
東京農工大学
-
Sato K
Faculty Of Engineering Fukui University Of Technology
-
石橋 隆幸
東京農工大学
-
城後 順平
農工大工
-
森 まなみ
農工大工
-
城後 順平
東京農工大院工
-
森 まなみ
東京農工大院工
-
石橋 隆幸
長岡技術科学大学 工学部
-
Satoh K
Faculty Of Engineering Fukui University Of Technology
-
石橋 隆幸
東京農工大学大学院工学教育部
-
Sato K
Department Of Physics Faculty Of Science Toyama University
-
Sato Kiyoo
College Of Liberal Arts Toyama University
-
Satoh K
Univ. Electro‐communications Tokyo
-
Satoh K
Mitsui Engineering Ship Building Co. Ltd. Tamano Jpn
-
佐藤 勝昭
東京農工大
-
Sato K.
Department Of Applied Physics Tokyo University Of Agriculture And Technology
-
SATO Kazutaka
Physics Laboratory,Aichi Prefectural Junior College of Nursing
-
石橋 隆幸
東京農工大
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