分子線エピタキシー法によるMnBi薄膜の作製 : エピキタシャル成長V
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概要
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MnBi thin films are grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE) method. MnBi seed layer is prepared on the substrates before a co-evaporation of Mn and Bi at 300℃. The c-axis oriented MnBi thin films obtained by this method have the perpendicular magnetic anisotropy, and showed 1 degree of Kerr rotation at 300 nm.
- 2000-07-01
著者
-
石橋 隆幸
長岡技術科学大学工学部
-
佐藤 勝昭
東京農工大学工
-
佐藤 勝昭
東京農工大学
-
石橋 隆幸
東京農工大学
-
石橋 隆幸
長岡技術科学大学 工学部
-
石橋 隆幸
東京農工大学大学院工学教育部
-
Sato K
Department Of Physics Faculty Of Science Toyama University
-
Satoh K
Mitsui Engineering Ship Building Co. Ltd. Tamano Jpn
-
林 亮太
農工大工
-
林 亮太
東京農工大学
-
藤澤 俊男
東京農工大学
-
佐藤 勝昭
東京農工大
-
藤澤 俊男
農工大工
-
石橋 隆幸
東京農工大
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