23aB10 原子間ポテンシャルを用いたInGaAs/(110)InPにおけるCuAu-I型規則化メカニズムの解析(エピタキシャル成長II)
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概要
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We studied the formation mechanism of a CuAu-I type ordered structure m an InGaAs grown on a vicinal (110) InP substrate with. Two-monolayer steps on the growth surface. The results of empirical interatomic potential calculations have shown that In and Ga adatoms tend to occupy the upper and the lower sites, respectively, at a kink of two-monolayer steps on the growth surface to form alternate-stacking of Ga- and In-rich (110) planes; that is, a CuAu-I type ordered structure.
- 1999-07-01
著者
-
寒川 義裕
九州大学応用力学研究所
-
桑野 範之
九州大学先端科学技術共同研究センター
-
沖 憲典
九州大学大学院総合理工学研究科院
-
沖 憲典
九州大学 大学院総合理工学研究院
-
Oki Kensuke
Department Of Materials Science And Technology Graduate School Of Engineering Sciences Kyusyu Univer
-
沖 憲典
九州大学総理工
-
寒川 義裕
九州大学応用力学研究所:九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻
-
寒川 義裕
九州大学大学院総合理工学研究科
-
寒川 義裕
九大・応力研
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