寒川 義裕 | 九州大学応用力学研究所:九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻

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概要

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• 寒川 義裕

  九州大学応用力学研究所:九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻

• 寒川 義裕

  九大・応力研

• 寒川 義裕

  九州大学応用力学研究所

• 纐纈 明伯

  東京農工大

• 纐纈 明伯

  東京農工大学大学院・工学系

• 寒川 義裕

  東京農工大学大学院工学系

• 熊谷 義直

  東京農工大学大学院・工学系

• 伊藤 智徳

  三重大学工学研究科

• 柿本 浩一

  九州大学応用力学研究所

• 松尾 有里子

  九州大学応用力学研究所

• Koukitu Akinori

  Department Of Industrial Chemistry Faculty Of Technology Tokyo University Of Agriculture And Technol

• 伊藤 智徳

  三重大学工学部物理工学科

• 熊谷 義直

  東京農工大学大学院工学研究院

• 纐纈 明伯

  東京農工大学大学院工学研究院応用化学部門

• 伊藤 智徳

  三重大学工学部理工学科

• 熊谷 義直

  東京農工大学

• 松尾 有里子

  東京農工大工学部

• 松尾 有里子

  東京農工大学工学部

• 入澤 寿美

  学習院大学

• 入澤 寿美

  学習院大計セ

• 伊藤 智徳

  三重大工

• 秋山 亨

  三重大学大学院工学研究科

• 白石 賢二

  NTT物性科学基礎研究所

• 白石 賢二

  筑波大学数理物質科学研究科物質創成先端科学専攻

• 寒川 義裕

  学習院大学計算機センター

• 寒川 義裕

  九州大学 応用力学研究所 基礎力学部門

• 白石 賢二

  筑波大学物理学系

• 田中 健

  東京農工大学大学院応用化学専攻

• 沖 憲典

  九州大学大学院総合理工学研究科院

• 柿本 浩一

  九州大学 応用力学研究所 基礎力学部門

• 伊藤 智徳

  三重大学 工学部 物理工学科

• 菊地 潤

  東京農工大学大学院・工学系

• 森 篤史

  徳島大工

• 沖 憲典

  九州大学 大学院総合理工学研究院

• Oki Kensuke

  Department Of Materials Science And Technology Graduate School Of Engineering Sciences Kyusyu Univer

• 沖 憲典

  九州大学総理工

• 田中 健

  東京農工大学大学院・工学系

• 田中 健

  東京農工大 大学院

• 寒川 義裕

  九州大学大学院総合理工学研究科

• 中村 浩次

  三重大工

• 石橋 隆幸

  長岡技術科学大学工学部

• 白石 賢二

  筑波大学数理物質科学研究科

• 富樫 理恵

  東京農工大学大学院・工学系

• 佐藤 勝昭

  東京農工大学工

• 吉川 彰

  東北大金研

• 鈴木 泰之

  三重大学大学院工学研究科

• 成塚 重弥

  名城大・理工

• 田口 明仁

  NTT物性基礎研

• 桑野 範之

  九州大学先端科学技術共同研究センター

• 小竹 茂夫

  三重大学工学部

• 澤田 勉

  物材機構

• 小竹 茂夫

  三重大・工

• 伊藤 智徳

  三重大・工

• 大鉢 忠

  同志社大学工学部

• 伊藤 智徳

  三重大学大学院工学研究科物理工学専攻

• 秋山 亨

  三重大学工学部

• 森 篤史

  徳島大学工学部

• 沢田 勉

  物材機構

• 佐藤 勝昭

  東京農工大学

• Sato K

  Faculty Of Engineering Fukui University Of Technology

• 大鉢 忠

  同志壮大学工学部

• 桑野 範之

  九州大学大学院総理工学研究科

• 大鉢 忠

  同志社大・理

• 石橋 隆幸

  東京農工大学

• 鈴木 泰之

  三重大 大学院工学研究科

• 石橋 隆幸

  長岡技術科学大学 工学部

• Laird B

  Univ. Kansas

• 纐纐 明伯

  東京農工大学工学部応用分子化学科

• 関 壽

  東京農工大学・工

• 関 寿

  農工大

• 神谷 和孝

  三重大

• 桑野 範之

  九州大学産学連携センター

• 伊藤 智徳

  三重大学大学院工学研究科

• 伊藤 智徳

  Ntt厚木通研

• 伊藤 智徳

  NTT LSI研究所

• Satoh K

  Faculty Of Engineering Fukui University Of Technology

• 石橋 隆幸

  東京農工大学大学院工学教育部

• Laird Brian

  カンザス大

• 澤田 勉

  物・材機構

• Sato K

  Department Of Physics Faculty Of Science Toyama University

• Sato Kiyoo

  College Of Liberal Arts Toyama University

• Satoh K

  Univ. Electro‐communications Tokyo

• 平岡 佳子

  (株)東芝研究開発センター

• 上野 聡

  広島大・生物生産・食品物理

• 関 壽

  (株)巴商会 技術本部 横浜研究所

• 藤野 真理恵

  東京農工大学大学院工学系

• 河口 紀仁

  東京農工大学大学院工学系

• 岡田 安史

  東京農工大学大学院工学系

• 岩本 智行

  東京農工大学大学院工学系

• 野間 かおり

  東京農工大学大学院工学系

• Satoh K

  Mitsui Engineering Ship Building Co. Ltd. Tamano Jpn

• 中村 浩次

  三重大学大学院工学研究科

• 平岡 佳子

  東芝 研開セ

• 佐藤 勝昭

  東京農工大

• 纐纈 明伯

  東京農工大学工学部応用分子化学科

• 河口 紀仁

  東京農工大学大学院工学系:石川島播磨重工業(株)技術開発本部

• 上羽 牧夫

  名大・理

• 川野 潤

  九州大学応用力学研究所

• 屋山 巴

  九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻

• 成塚 重弥

  名城大学大学院理工学研究科

• 伊藤 智徳

  NTT システムエレクトロニクス研究所

• 秋山 亨

  三重大学工学研究科

• 桑野 範之

  九州大学大学院総合理工学府

• 吉村 政志

  阪大・院工

• 富樫 理恵

  農工大・院工

• 小林 篤

  東大・生産研

• 上羽 牧夫

  名大・院理

• 嘉数 誠

  佐賀大学グリーンエレクトロニクス研究所大学院工学系研究科

• 上野 聡

  広島大・生物圏科学

• 嘉数 誠

  佐賀大学グリーンエレクトロニクス研究所

• SATO Kazutaka

  Physics Laboratory,Aichi Prefectural Junior College of Nursing

• 石橋 隆幸

  東京農工大

• 伊藤 智徳

  三重大学大学院 工学研究科

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著作論文

• 立方晶GaNの成長過程と構造安定性(安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)
• InGaN混晶半導体における原子配列の理論的検討
• 01aB11 GaN/GaN(001)における成長初期過程の理論検討(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
• 26aC03 II-IV-V_2族磁性半導体薄膜のMBE成長に向けた理論検討(スピンエレクトロニクス材料,第34回結晶成長国内会議)
• 27aB03 様々な窒素源を用いたMOVPE法によるInNおよびInGaNの成長の熱力学解析(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
• HVPE法を用いたAlNの成長は可能か?(AlN結晶成長シンポジウム)
• GaAs表面構造の安定性に対する量子論的アプローチ
• GaAsエピタキシャル成長における吸着-脱離現象への理論的アプローチ(結晶成長理論の最近の動向)
• IV族混晶半導体の熱力学的安定性(IV族系半導体結晶・混晶の新たなる展開)
• 化合物半導体気相成長の熱力学
• 27aB01 GaN/GaPヘテロ成長と基板面方位(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
• 27aB02 第一原理計算によるIn系窒化物原料の熱力学データ(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
• 27aB06 InGaN光励起MOVPEにおける薄膜物性の光強度依存性(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
• 25aC03 表面光吸収法によるGaAs(111)A面からのAs脱離過程のその場観察(結晶評価・その場観察(1),第34回結晶成長国内会議)
• 第一原理計算による常圧H_2雰囲気下におけるGaAs(111)A面の表面構造相転移(結晶成長理論I)
• 気相の自由エネルギーを考慮した第一原理計算による立方晶GaN気相成長の成長初期過程解析
• 常圧H_2雰囲気下におけるGaAs(001)面からのAs脱離過程と(2×4)再構成面の形成機構 : 結晶成長理論シンポジウム
• GaNおよびInN基板上のInGaNの混晶相図作製のモンテカルロシミュレーション : 結晶成長理論シンポジウム
• 507 c-BN 及び h-BN 薄膜の構造安定性に対する基板拘束の寄与
• InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響
• InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響
• InGaN薄膜における自然超格子構造(窒化物半導体結晶)
• InGaN気相成長における気相-固相関係に対する基板拘束の影響(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
• InGaN/GaNおよびInGaN/InN気相成長における気相-固相関係 : 結晶成長理論シンポジウム
• InGaNの非混和性に対する基板拘束の寄与 : 成長界面III
• ナイトライド半導体の構造安定性への原子間ポテンシャルの適用 : 成長界面III
• 原子間ポテンシャルを用いた InGaAs/ (110) InP 混晶中に出現する CuAu-I 型規則構造形成機構の理論的解析
• GaAsN気相エピタキシーにおける混晶組成の理論的検討(どのように結晶成長現象をモデル化するか?)
• 23aB10 原子間ポテンシャルを用いたInGaAs/(110)InPにおけるCuAu-I型規則化メカニズムの解析(エピタキシャル成長II)
• GaNホモエピタキシャル成長における成長初期過程の理論検討(窒化物半導体結晶)
• ダイヤモンド成長(特集序文)
• 第42回結晶成長国内会議(NCCG-42)開催報告(学会活動報告)
• 気相の自由エネルギーを考慮した第一原理計算による立方晶GaN気相成長の成長初期過程解析

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