伊藤 智徳 | 三重大学工学研究科

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概要

• 同名の論文著者
• 三重大学工学研究科の論文著者

関連著者

• 伊藤 智徳

  三重大学工学研究科

• 寒川 義裕

  九州大学応用力学研究所

• 寒川 義裕

  九州大学応用力学研究所:九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻

• 寒川 義裕

  九大・応力研

• 伊藤 智徳

  三重大学工学部物理工学科

• 伊藤 智徳

  三重大学工学部理工学科

• 纐纈 明伯

  東京農工大

• 白石 賢二

  NTT物性科学基礎研究所

• 柿本 浩一

  九州大学応用力学研究所

• 白石 賢二

  筑波大学数理物質科学研究科物質創成先端科学専攻

• 纐纈 明伯

  東京農工大学大学院・工学系

• 寒川 義裕

  東京農工大学大学院工学系

• Koukitu Akinori

  Department Of Industrial Chemistry Faculty Of Technology Tokyo University Of Agriculture And Technol

• 纐纈 明伯

  東京農工大学大学院工学研究院応用化学部門

• 白石 賢二

  筑波大学物理学系

• 寒川 義裕

  学習院大学計算機センター

• 太田 英二

  慶應義塾大学

• 伊藤 智徳

  三重大工

• 熊谷 義直

  東京農工大学大学院・工学系

• 山口 浩司

  三菱重工業(株)

• 武田 京三郎

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 岡島 康

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 大野 隆央

  物材機構

• 伊藤 智徳

  Ntt厚木通研

• 伊藤 智徳

  NTT LSI研究所

• 小山 紀久

  物材機構

• 太田 英二

  慶應義塾大学大学院理工学研究科

• 太田 英二

  慶大 理工

• 秋山 亨

  三重大学工学研究科

• 武田 京三郎

  早稲田大学 理工学術院

• 秋山 亨

  三重大工

• 山口 浩司

  Ntt物性基礎研

• 秋山 亨

  三重大学大学院工学研究科

• 田口 明仁

  NTT物性基礎研

• 入澤 寿美

  学習院大学

• 大鉢 忠

  同志社大学工学部

• 小山 紀久

  慶應義塾大学大学院理工学研究科

• 白石 賢二

  NTT 物性科学基礎研究所

• 山口 浩司

  NTT 物性科学基礎研究所

• 大野 隆央

  物質 ・ 材料研究機構

• 小山 紀久

  金属材料技術研究所究所

• 大野 隆央

  金属材料技術研究所究所

• 松尾 有里子

  九州大学応用力学研究所

• 秋山 亨

  三重大学工学部

• 森 篤史

  徳島大学工学部

• 大野 隆央

  金属材料技術研究所

• 大鉢 忠

  同志壮大学工学部

• 大鉢 忠

  同志社大・理

• 纐纐 明伯

  東京農工大学工学部応用分子化学科

• 伊藤 智徳

  三重大学大学院工学研究科

• 平岡 佳子

  (株)東芝研究開発センター

• 入澤 寿美

  学習院大計セ

• 中村 浩次

  三重大学大学院工学研究科

• 平岡 佳子

  東芝 研開セ

• 纐纈 明伯

  東京農工大学工学部応用分子化学科

• 秋山 亨

  三重大学大学院工学研究科物理工学専攻

• 川野 潤

  九州大学応用力学研究所

• 屋山 巴

  九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻

• 中村 浩次

  三重大学工学研究科

• 中村 浩次

  三重大学工

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著作論文

• InAs/GaAs(110)へテロ界面におけるミスフィット転位形成と成長モードの関係
• 半導体格子不整合系におけるエピタキシャル成長の理論的研究 : マクロスコピックな成長過程とミクロスコピックな機構との関係 : 結晶成長の理論(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
• 01aB11 GaN/GaN(001)における成長初期過程の理論検討(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
• GaAs表面構造の安定性に対する量子論的アプローチ
• GaAsエピタキシャル成長における吸着-脱離現象への理論的アプローチ(結晶成長理論の最近の動向)
• IV族混晶半導体の熱力学的安定性(IV族系半導体結晶・混晶の新たなる展開)
• InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• InGaN気相成長における気相-固相関係に対する基板拘束の影響(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
• InGaN/GaNおよびInGaN/InN気相成長における気相-固相関係 : 結晶成長理論シンポジウム
• InGaNの非混和性に対する基板拘束の寄与 : 成長界面III
• ナイトライド半導体の構造安定性への原子間ポテンシャルの適用 : 成長界面III
• GaAsN気相エピタキシーにおける混晶組成の理論的検討(どのように結晶成長現象をモデル化するか?)
• 外部電場下における遷移金属表面界面の結晶磁気異方性 : 第一原理計算による理論的予測

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