ナイトライド半導体の構造安定性への原子間ポテンシャルの適用 : 成長界面III
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概要
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Structural stability of nitride semiconductors is investigated using an empirical interatomic potential applicable to subtle energy difference between zinc blende and wurtzite structures. The calculated results imply that wurtzite structre is more stable than zinc blende structure by 4.5 (meV/atom) and 7.8 (meV/atom) for GaN and InN, respectively. These results agree well with those obtained by ab initio calculations.
- 2000-07-01
著者
-
寒川 義裕
九州大学応用力学研究所
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寒川 義裕
学習院大学計算機センター
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寒川 義裕
九州大学応用力学研究所:九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻
-
伊藤 智徳
三重大学工学研究科
-
寒川 義裕
九大・応力研
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