気相の自由エネルギーを考慮した第一原理計算による立方晶GaN気相成長の成長初期過程解析
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概要
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We carried out theoretical analyses based on ab initio calculations in which free energy of the vapor phase is incorporated to determine the initial growth kinetics of c-GaN on GaN(001)-(4x1). The feasibility of the theoretical approach had been confirmed by calculations of Ga adsorption-desorption transition temperature and transition beam equivalent pressures on the GaAs(001)-(4x2)β2 surface in our previous work [Y. Kangawa, et al., Surf. Sci. 493 (2001) 178]. The results of calculations suggest that no Ga adsorption occurs on the initial surface under typical growth conditions but that a Ga adsorption site appears after N adsorption on GaN(001)-(4x1). That is, in the initial growth stage of c-GaN on GaN(001)-(4x1), a N-adsorbed structure is formed and then Ga adsorbs on the N adatom.
- Research Institute for Applied Mechanics, Kyushu Universityの論文
- 2007-09-00
著者
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