化合物半導体ナノワイヤにおける閃亜鉛鉱-ウルツ鉱構造多形と回転双晶形成 : 計算科学的アプローチ(<特集>安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)
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概要
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近年,半導体材料を用いて作製されるナノメートル程度のサイズの径をもつ一次元の柱状結晶(半導体ナノワイヤ)がナノデバイスの構成要素として注目されている.しかしながら,化合物半導体材料を用いて作製された半導体ナノワイヤでは,バルク状態では安定な閃亜鉛鉱構造の積層にウルツ鉱構造の積層が混入し,回転双晶と言われる欠陥が発生することが報告されている.本稿では,ナノワイヤを構成する全原子に占めるナノワイヤ側面を構成する原子の割合が高いことに注目し,計算科学的アプローチにより化合物半導体ナノワイヤにおける閃亜鉛鉱-ウルツ鉱構造間の相対的安定性を検討し,ナノワイヤ成長時におけるウルツ鉱構造混入の微視的機構について議論する.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2008-01-31
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