26aPS-80 MnドープGaInAs及びGaInN混晶半導体の電子構造と構造安定性(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2011-03-03

著者

• 中村 浩次

  三重大工

• 秋山 亨

  三重大工

• 伊藤 智徳

  三重大工

• 伊藤 智徳

  Ntt厚木通研

• 伊藤 智徳

  NTT LSI研究所

• 三宅 正浩

  三重大工

• 中村 浩次

  三重大学大学院工学研究科

• 伊藤 智徳

  三重大学工学部物理工学科

• 秋山 亨

  三重大学大学院工学研究科物理工学専攻

• 中村 浩次

  三重大学工学研究科

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