エピタキシャル成長素過程への量子論的アプローチ(<特集>どのように結晶成長現象をモデル化するか?)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
近年のコンピュータの数値計算能力の向上と計算物理学的手法の進歩により,エピタキシャル成長の過程を,原子番号だけを入力パラメータとした量子論に基づく第一原理計算により解明することが可能となってきている.本稿では,第一原理計算に基づいて原子レベルでの結晶成長機構の解明を目指す最近の理論的研究を紹介し,量子論的アプローチのエピタキシャル成長素過程への適用方法について解説する.さらに,量子論的アプローチに基づく結晶成長シミュレーションによる研究も紹介し,成長の動的過程に対する計算手法についても説明する.
著者
-
中村 浩次
三重大工
-
秋山 亨
三重大工
-
伊藤 智徳
三重大工
-
秋山 亨
三重大学大学院工学研究科
-
伊藤 智徳
三重大学大学院工学研究科
-
伊藤 智徳
Ntt厚木通研
-
伊藤 智徳
NTT LSI研究所
-
中村 浩次
三重大学大学院工学研究科
-
伊藤 智徳
三重大学工学部物理工学科
-
秋山 亨
三重大学大学院工学研究科物理工学専攻
-
中村 浩次
三重大学工学研究科
-
伊藤 智徳
三重大学大学院 工学研究科
-
中村 浩次
三重大学大学院 工学研究科
関連論文
- 20aPS-38 γ-Feにおけるスピンスパイラル構造と格子歪(20aPS 領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子・表面・微小領域・スピントロニクス・遍歴・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pPSA-29 Cr_2O_3薄膜表面における電子構造と外部電場効果(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pPSA-7 MgO/強磁性体/MgOサンドイッチ構造の結晶磁気異方性に対する電場効果(領域3ポスターセッション(スピントロニクス・遍歴磁性等),領域3,磁性,磁気共鳴)
- 25pPSA-5 Cr_2O_3薄膜における電子構造と外部電場効果(領域3ポスターセッション(スピントロニクス・遍歴磁性等),領域3,磁性,磁気共鳴)
- 立方晶GaNの成長過程と構造安定性(安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)
- InAs/GaAs(110)へテロ界面におけるミスフィット転位形成と成長モードの関係
- 半導体格子不整合系におけるエピタキシャル成長の理論的研究 : マクロスコピックな成長過程とミクロスコピックな機構との関係 : 結晶成長の理論(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- 01aB11 GaN/GaN(001)における成長初期過程の理論検討(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
- 22aPS-14 Fe_3Pt強磁性形状記憶合金の磁気構造と結晶磁気異方性(領域3ポスターセッション(f電子,遍歴,化合物,酸化物,磁性一般,表面・界面),領域3,磁性,磁気共鳴)
- 計算科学から見た閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造の安定性(安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)
- 半導体材料設計と量子論的成長シミュレーション( エピタキシャル成長の量子論)
- モンテカルロ法によるMBE成長シミュレーション
- 29a-H-8 GaAs(001)面上Ga吸着原子の拡散係数
- 20pXE-10 セミグランドカノニカルモンテカルロシミュレーションによるInGaN/GaN(0001)薄膜の混晶相図作成I(その他の系(地震・パターン形成・ソフトマター・実験),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 25aPS-56 (Ga,In,Mn)As及び(Ga,In,Mn)Nの相安定性と磁気構造(25aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24aPS-75 Cr_2O_3(0001)表面構造の第一原理計算(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aPS-69 (Al,Cr)_2O_3の電子構造と磁気構造(25aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- GaAs(111)A面上のエピタキシャル成長過程の理論的検討 : 成長界面III
- 22aPS-58 反強磁性遷移金属フッ化物及び交換バイアス界面の磁気構造(領域3ポスターセッション(f電子,遍歴,化合物,酸化物,磁性一般,表面・界面),領域3,磁性,磁気共鳴)
- 21aPS-39 InGaN/GaN(0001)薄膜における歪誘起超格子状態のモンテカルロシミュレーション(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pPSB-63 InAs(111)A表面上のIn吸着原子に起因する電子状態の理論検討(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSB-8 強磁性体薄膜の結晶磁気異方性に対する電場効果(27pPSB 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 気相の自由エネルギーを考慮した第一原理計算による立方晶GaN気相成長の成長初期過程解析
- Si酸化における界面反応の第一原理計算(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 21aWH-9 SiO_2/Si(100)界面でのSi輸送過程(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27pPSB-9 遷移金属単原子層膜におけるスパイラル磁気構造(27pPSB 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- GaAs表面におけるGa原子のふるまい : 量子論的アプローチ
- 21pPSA-12 Cr_2O_3及びCr_2O_3/Co界面における磁気構造と外部電場効果(21pPSA 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pPSA-2 スピン軌道相互作用を考慮したスパイラル磁気構造の第一原理計算(21pPSA 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23aPS-15 Co/Cr_2O_3界面の電子構造と磁気構造(23aPS ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24pPSA-50 [110]方向に成長するシリコンナノワイヤの構造と電子状態(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23aPS-3 Fe及びMn単原子層のスパイラル磁性(23aPS ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 化合物半導体ナノワイヤにおける閃亜鉛鉱-ウルツ鉱構造多形と回転双晶形成 : 計算科学的アプローチ(安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)
- 22aPS-59 ハーフメタリッック交換バイアス界面の電子構造と磁気構造(領域3ポスターセッション(f電子,遍歴,化合物,酸化物,磁性一般,表面・界面),領域3,磁性,磁気共鳴)
- 26aYK-9 SiO_2中の酸素拡散と酸素安定サイトの存在の可能性(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 14pTJ-2 SiO_2 中格子間酸素の構造および拡散の歪みによる影響(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
- 15aPS-30 SiO_2/Si(100) 界面における酸素分子反応の第一原理計算(領域 9)
- 15aPS-29 SiO_2/Si(100) での格子間 Si の研究(領域 9)
- 21pXA-9 SiO_2/Si(100) 界面近傍における余剰 Si 点欠陥の安定性
- 28pPSB-43 SiO_2/Si(100) 界面での酸素原子反応過程の理論的検討
- GaNおよびInN基板上のInGaNの混晶相図作製のモンテカルロシミュレーション : 結晶成長理論シンポジウム
- 3p-Q-15 擬ポテンシャル法による化合物半導体混晶のMiscibilityの評価
- 1a-Pα-3 GaAsの弾性的性質に及ぼす不純物の効果
- 2p-NJ-8 GaAsの無転位化に対する不純物の効果-モデルポテンシャルによる計算-
- 507 c-BN 及び h-BN 薄膜の構造安定性に対する基板拘束の寄与
- 22aPS-83 Pt(111)ステップ表面におけるCo及びFe単原子ワイヤーの結晶磁気異方性(領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子,スピングラス,量子スピン系),領域3,磁性,磁気共鳴)
- 24aXH-2 Fe(110)単層膜におけるスピン・スパイラル構造(24aXH 薄膜,微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25aXJ-10 閃亜鉛鉱型Ga_xMn_As磁性半導体の相安定性(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aPS-82 シリコンナノワイヤの構造および電子状態の第一原理計算に基づく検討(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pPSA-16 Fe単層薄膜におけるスピン密度波(領域3ポスターセッション,薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,微小領域磁性,遍歴磁性,化合物磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 19aYB-11 閃亜鉛鉱型強磁性体/反強磁性体界面の磁気構造(薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 18aA05 エネルギー的観点から見た立方晶,六方晶GaNの作り分け(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
- 13aWB-12 Fe(110) 単層薄膜の磁壁構造(薄膜・人工格子磁性, 領域 3)
- 12aPS-15 CrAs/Cr 界面の磁気構造と電子構造(磁性・磁気共鳴, 領域 3)
- 21pPSA-19 Fe 単層薄膜における磁壁構造の第一原理計算
- InGaN薄膜における自然超格子構造(窒化物半導体結晶)
- 3-5族化合物半導体混晶の熱力学的性質--電子論的考察
- 30a-YK-10 Si結晶中の多原子空孔の魔法数 : tight-binding計算
- 遷移金属表面・界面およびナノ構造体の電子構造と磁性
- エピタキシャル成長素過程への量子論的アプローチ (特集 どのように結晶成長現象をモデル化するか?)
- GaAsN気相エピタキシーにおける混晶組成の理論的検討(どのように結晶成長現象をモデル化するか?)
- エピタキシャル成長素過程への量子論的アプローチ(どのように結晶成長現象をモデル化するか?)
- 26pPSA-43 コランダム型Al_2O_3における遷移金属不純物電子状態の第一原理計算(26pPSA 領域8ポスターセッション(低温2),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 外部電場下における遷移金属表面界面の結晶磁気異方性--第一原理計算による理論的予測 (小特集 外場のある系の第一原理計算)
- 26aPS-80 MnドープGaInAs及びGaInN混晶半導体の電子構造と構造安定性(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aPS-40 ホイスラー型Ni_2Mn(Ga,Al,In)合金における構造安定性と結晶磁気異方性(21aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21aPS-76 酸化物における磁性不純物の電子構造と光学的性質(21aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21aPS-60 MnドープIII-V族混晶半導体における電子構造と磁気光学的性質(21aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21aPS-20 スピンスパイラル構造における磁気抵抗の第一原理計算(21aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 22pED-2 遷移金属表面界面の電気磁気効果と結晶磁気異方性(22pED 領域3,領域9,領域5合同シンポジウム:垂直磁気異方性はどこまで理解されてきたか,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pED-2 遷移金属表面界面の電気磁気効果と結晶磁気異方性(22pED 領域3,領域9,領域5合同シンポジウム:垂直磁気異方性はどこまで理解されてきたか,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21aPS-37 Fe基板上のMgO単原子層膜の構造安定性と電気磁気効果(21aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 外部電場下における遷移金属表面界面の結晶磁気異方性 : 第一原理計算による理論的予測
- 24aPS-12 遷移金属におけるスピンスパイラル構造と磁気抵抗(24aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24aPS-42 第一原理計算による不規則合金系弾性的性質の解析 : Ni_2MnGa_In_x強磁性形状記憶合金への適用(24aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24aPS-31 MgO/FeB界面における構造安定性および結晶磁気異方性(24aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 第一原理による多形決定のメカニズム解明(SiCの現状と今後の展開)
- 18aFN-11 Feフタロシアニン分子における多重項構造と磁気異方性(18aFN 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 18pPSA-11 スピンスパイラル構造と磁気抵抗の第一原理計算(18pPSA 領域3ポスターセッション(スピントロニクス・薄膜・人工格子・表面・スピングラス・磁気共鳴・実験技術・磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 気相の自由エネルギーを考慮した第一原理計算による立方晶GaN気相成長の成長初期過程解析
- 18aPSA-8 非化学量論組成を持つホイスラー型強磁性形状記憶合金の弾性異方性(18aPSA 領域3ポスターセッション(量子スピン・フラストレーション・遍歴・f電子・酸化物・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 18pPSA-32 Fe薄膜におけるBain変形と外部電場効果の第一原理計算(18pPSA 領域3ポスターセッション(スピントロニクス・薄膜・人工格子・表面・スピングラス・磁気共鳴・実験技術・磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 18pPSA-31 MgO/Fe界面磁気異方性に対するボロン添加の効果(18pPSA 領域3ポスターセッション(スピントロニクス・薄膜・人工格子・表面・スピングラス・磁気共鳴・実験技術・磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 20pPSA-41 外部電場印加によるダイヤモンド表面の誘起電荷とフェルミ面の制御(20pPSA 領域9 ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)
- 18aFN-11 Feフタロシアニン分子における多重項構造と磁気異方性(18aFN 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pPSA-40 遷移金属フタロシアニンの多重項構造に関する第一原理計算(20pPSA 領域9 ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)
- 27pXZA-4 ポルフィリン系分子に基づくFe錯体の多重項構造に関する第一原理計算(27pXZA 表面界面電子物性・有機分子,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSA-19 Feフタロシアニン分子間相互作用における多重項構造の役割(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aPS-112 Cu(111)基板上におけるFe二原子層膜の構造安定性(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 26pPSA-21 外部電場印加によるダイヤモンド表面のバンド構造 : 面方位依存性(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 6pPSA-4 RuSr2RCu2O8(R=Gd,Y)の電子構造及び磁気構造(高温超伝導,領域8)
- 25aPS-42 Co薄膜スピンスパイラル構造の第一原理計算(スピントロニクス・表面・界面磁性・マルチフェロイクス・遍歴磁性・磁性一般,領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25pEA-7 外部電場下におけるダイヤモンド表面のホールキャリアと超伝導(電界効果,領域8,領域7合同,領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pEA-7 外部電場下におけるダイヤモンド表面のホールキャリアと超伝導(電界効果,領域8,領域7合同,領域7(分子性個体・有機導体))
- 25pPSB-62 反強磁性絶縁体Cr_2O_3バルク及び薄膜の磁気構造と結晶磁気異方性(領域3ポスターセッション(量子スピン・フラストレーション・スピングラス・f電子・酸化物・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27pPSA-49 遷移金属フタロシアニンの磁気光学特性(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 8pPSA-41 強磁性体Fe探針の電子構造及び磁気構造(薄膜・人工格子磁性,微小領域磁性,表面・界面磁性講演,領域3)
- 6pWA-13 Fe薄膜におけるノンコリニア磁性と結晶磁気異方性(微小領域磁性・磁化過程,領域3)
- 27pPSA-40 Feフタロシアニン結晶における多重項構造と構造多形(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-42 遷移金属メタロセンの多重項構造の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))