GaAs(111)A面上のエピタキシャル成長過程の理論的検討 : 成長界面III
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
We theoretically investigated the epitaxial growth mechanism on a GaAs(111)A surface by estimating stabilities of adatoms and microstructures formed by adatoms. We found that single Ga(As) adatom does not occupy the Ga(As) lattice site, but both Ga and As adatoms occupy the lattice site by forming a Ga-As coupled structure. Self-surfactant effects of Ga and As are essential to maintain the epitaxial growth.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2000-07-01
著者
関連論文
- 20aPS-38 γ-Feにおけるスピンスパイラル構造と格子歪(20aPS 領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子・表面・微小領域・スピントロニクス・遍歴・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pPSA-29 Cr_2O_3薄膜表面における電子構造と外部電場効果(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pPSA-7 MgO/強磁性体/MgOサンドイッチ構造の結晶磁気異方性に対する電場効果(領域3ポスターセッション(スピントロニクス・遍歴磁性等),領域3,磁性,磁気共鳴)
- 25pPSA-5 Cr_2O_3薄膜における電子構造と外部電場効果(領域3ポスターセッション(スピントロニクス・遍歴磁性等),領域3,磁性,磁気共鳴)
- 立方晶GaNの成長過程と構造安定性(安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)
- 27pPSA-15 Pdナノワイヤーにおける強磁性発現機構の第一原理計算による研究(27pPSA 領域3ポスターセッション 薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,微小領域磁性,遍歴磁性,化合物磁性,f電子系磁性磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- InAs/GaAs(110)へテロ界面におけるミスフィット転位形成と成長モードの関係
- 半導体格子不整合系におけるエピタキシャル成長の理論的研究 : マクロスコピックな成長過程とミクロスコピックな機構との関係 : 結晶成長の理論(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- 半導体格子不整合系でのエピタキシー成長とミスフィット転位 : 成長界面III
- SC-8-3 自己組織化量子ドット形成におけるミスフィット転位の影響
- 27p-T-12 InAs/GaAs(110)ヘテロ界面におけるミスフィット転位の電子構造III
- 1p-YB-1 蛋白質ナノチューブにおけるプロトンの挙動
- 01aB11 GaN/GaN(001)における成長初期過程の理論検討(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
- 15aTB-2 TC-VMC 法による He 原子の励起状態計算(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
- 6p-A2-2 III-IV-V-VI系超格子のバンド構造
- 20pXE-10 セミグランドカノニカルモンテカルロシミュレーションによるInGaN/GaN(0001)薄膜の混晶相図作成I(その他の系(地震・パターン形成・ソフトマター・実験),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 25aPS-56 (Ga,In,Mn)As及び(Ga,In,Mn)Nの相安定性と磁気構造(25aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24aPS-75 Cr_2O_3(0001)表面構造の第一原理計算(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aPS-69 (Al,Cr)_2O_3の電子構造と磁気構造(25aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- GaAs表面構造の安定性に対する量子論的アプローチ
- GaAsエピタキシャル成長における吸着-脱離現象への理論的アプローチ(結晶成長理論の最近の動向)
- Ge/Siセグリゲーションの中速イオン散乱による観察
- GaAs(111)A面上のエピタキシャル成長過程の理論的検討 : 成長界面III
- 22aC7 GaAs表面上吸着過程に関する量子論的シミュレーション(成長界面II)
- 27p-YL-6 第一原理吸着計算に基づいたモンテカルロ法とそのGaAs薄膜成長への応用
- 26p-P-2 GaAs薄膜成長初期過程の量子論的シミュレーション
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
- 21aPS-39 InGaN/GaN(0001)薄膜における歪誘起超格子状態のモンテカルロシミュレーション(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 31a-Z-10 GaAs及びAlGaAsにおけるDXセンターの起源
- 6p-C-3 GaAs中の深いドナー準位-DXセンター-の基底状態と最適原子配置
- 29pPSB-63 InAs(111)A表面上のIn吸着原子に起因する電子状態の理論検討(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSB-8 強磁性体薄膜の結晶磁気異方性に対する電場効果(27pPSB 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- Si酸化における界面反応の第一原理計算(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 21aWH-9 SiO_2/Si(100)界面でのSi輸送過程(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27pPSB-9 遷移金属単原子層膜におけるスパイラル磁気構造(27pPSB 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- GaAs表面におけるGa原子のふるまい : 量子論的アプローチ
- 21pPSA-12 Cr_2O_3及びCr_2O_3/Co界面における磁気構造と外部電場効果(21pPSA 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pPSA-2 スピン軌道相互作用を考慮したスパイラル磁気構造の第一原理計算(21pPSA 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23aPS-15 Co/Cr_2O_3界面の電子構造と磁気構造(23aPS ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23aPS-3 Fe及びMn単原子層のスパイラル磁性(23aPS ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 22aPS-59 ハーフメタリッック交換バイアス界面の電子構造と磁気構造(領域3ポスターセッション(f電子,遍歴,化合物,酸化物,磁性一般,表面・界面),領域3,磁性,磁気共鳴)
- 26aYK-9 SiO_2中の酸素拡散と酸素安定サイトの存在の可能性(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 14pTJ-2 SiO_2 中格子間酸素の構造および拡散の歪みによる影響(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
- 15aPS-30 SiO_2/Si(100) 界面における酸素分子反応の第一原理計算(領域 9)
- 31p-YJ-1 希土類添加半導体における希土類原子の準位と4f内殻発光機構
- GaNおよびInN基板上のInGaNの混晶相図作製のモンテカルロシミュレーション : 結晶成長理論シンポジウム
- 21aXF-14 半導体ナノチューブ構造における励起子過程(表面・微粒子・ナノ結晶・低次元,領域5(光物性))
- 507 c-BN 及び h-BN 薄膜の構造安定性に対する基板拘束の寄与
- 25p-T-10 III-As半導体中のフッ素原子の拡散過程
- 31a-E-4 GaAs中のハロゲン原子の拡散過程
- 21aPS-82 シリコンナノワイヤの構造および電子状態の第一原理計算に基づく検討(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pPSA-16 Fe単層薄膜におけるスピン密度波(領域3ポスターセッション,薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,微小領域磁性,遍歴磁性,化合物磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 19aYB-11 閃亜鉛鉱型強磁性体/反強磁性体界面の磁気構造(薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 18aA05 エネルギー的観点から見た立方晶,六方晶GaNの作り分け(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
- 13aWB-12 Fe(110) 単層薄膜の磁壁構造(薄膜・人工格子磁性, 領域 3)
- 12aPS-15 CrAs/Cr 界面の磁気構造と電子構造(磁性・磁気共鳴, 領域 3)
- 21pPSA-19 Fe 単層薄膜における磁壁構造の第一原理計算
- InGaN薄膜における自然超格子構造(窒化物半導体結晶)
- GaAsN気相エピタキシーにおける混晶組成の理論的検討(どのように結晶成長現象をモデル化するか?)
- エピタキシャル成長素過程への量子論的アプローチ(どのように結晶成長現象をモデル化するか?)
- 26pPSA-43 コランダム型Al_2O_3における遷移金属不純物電子状態の第一原理計算(26pPSA 領域8ポスターセッション(低温2),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 外部電場下における遷移金属表面界面の結晶磁気異方性--第一原理計算による理論的予測 (小特集 外場のある系の第一原理計算)
- 26aPS-80 MnドープGaInAs及びGaInN混晶半導体の電子構造と構造安定性(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aPS-40 ホイスラー型Ni_2Mn(Ga,Al,In)合金における構造安定性と結晶磁気異方性(21aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21aPS-76 酸化物における磁性不純物の電子構造と光学的性質(21aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21aPS-60 MnドープIII-V族混晶半導体における電子構造と磁気光学的性質(21aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21aPS-20 スピンスパイラル構造における磁気抵抗の第一原理計算(21aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21aPS-37 Fe基板上のMgO単原子層膜の構造安定性と電気磁気効果(21aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 外部電場下における遷移金属表面界面の結晶磁気異方性 : 第一原理計算による理論的予測
- 第一原理計算によるGaAs(111)A面上のエピタキシャル成長過程の検討
- 24pY-2 Si中のフッ素原子の安定サイトと荷電状態
- 第10回分子線エピタキシー国際会議
- 30a-YK-13 AlAs中の酸素原子の拡散過程
- 8a-S-3 GaAs中の酸素原子の拡散過程
- GaAs/ErAs界面の原子配置と電子構造
- 27a-N-12 GaAs中のErと複合欠陥
- 28a-F-16 (InAs)m(GaAs)m m=1-7歪超格子の電子構造
- 24aPS-12 遷移金属におけるスピンスパイラル構造と磁気抵抗(24aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24aPS-42 第一原理計算による不規則合金系弾性的性質の解析 : Ni_2MnGa_In_x強磁性形状記憶合金への適用(24aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24aPS-31 MgO/FeB界面における構造安定性および結晶磁気異方性(24aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 18aFN-11 Feフタロシアニン分子における多重項構造と磁気異方性(18aFN 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 18pPSA-11 スピンスパイラル構造と磁気抵抗の第一原理計算(18pPSA 領域3ポスターセッション(スピントロニクス・薄膜・人工格子・表面・スピングラス・磁気共鳴・実験技術・磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 18aPSA-8 非化学量論組成を持つホイスラー型強磁性形状記憶合金の弾性異方性(18aPSA 領域3ポスターセッション(量子スピン・フラストレーション・遍歴・f電子・酸化物・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 20pPSA-41 外部電場印加によるダイヤモンド表面の誘起電荷とフェルミ面の制御(20pPSA 領域9 ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)
- 18aFN-11 Feフタロシアニン分子における多重項構造と磁気異方性(18aFN 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pPSA-40 遷移金属フタロシアニンの多重項構造に関する第一原理計算(20pPSA 領域9 ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)
- 26pPSA-19 Feフタロシアニン分子間相互作用における多重項構造の役割(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSA-21 外部電場印加によるダイヤモンド表面のバンド構造 : 面方位依存性(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 6pPSA-4 RuSr2RCu2O8(R=Gd,Y)の電子構造及び磁気構造(高温超伝導,領域8)
- 25aPS-42 Co薄膜スピンスパイラル構造の第一原理計算(スピントロニクス・表面・界面磁性・マルチフェロイクス・遍歴磁性・磁性一般,領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25pEA-7 外部電場下におけるダイヤモンド表面のホールキャリアと超伝導(電界効果,領域8,領域7合同,領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pEA-7 外部電場下におけるダイヤモンド表面のホールキャリアと超伝導(電界効果,領域8,領域7合同,領域7(分子性個体・有機導体))
- 25pPSB-62 反強磁性絶縁体Cr_2O_3バルク及び薄膜の磁気構造と結晶磁気異方性(領域3ポスターセッション(量子スピン・フラストレーション・スピングラス・f電子・酸化物・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27pPSA-49 遷移金属フタロシアニンの磁気光学特性(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 8pPSA-41 強磁性体Fe探針の電子構造及び磁気構造(薄膜・人工格子磁性,微小領域磁性,表面・界面磁性講演,領域3)
- 6pWA-13 Fe薄膜におけるノンコリニア磁性と結晶磁気異方性(微小領域磁性・磁化過程,領域3)
- 27pPSA-40 Feフタロシアニン結晶における多重項構造と構造多形(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))