GaAs/ErAs界面の原子配置と電子構造
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
28pTA-7 Si表面における遷移金属原子の初期反応過程への表面水素化による効果
-
26a-YR-12 H終端Si(001)2×1表面へのTi原子吸着の第一原理的研究
-
27pPSA-15 Pdナノワイヤーにおける強磁性発現機構の第一原理計算による研究(27pPSA 領域3ポスターセッション 薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,微小領域磁性,遍歴磁性,化合物磁性,f電子系磁性磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
-
半導体格子不整合系でのエピタキシー成長とミスフィット転位 : 成長界面III
-
SC-8-3 自己組織化量子ドット形成におけるミスフィット転位の影響
-
27p-T-11 Ge/Si(001)ヘテロ界面に生じるミスフィット転位についての第一原理計算
-
30p-S-4 水素終端Si(100)表面上でのSi island形成に関する理論的研究
-
30p-S-3 水素終端Si(100)2x1表面でのSiの吸着拡散過程
-
25aYP-4 第一原理計算から見た鉄中のクラック形成に対する空孔-水素複合体の効果
-
22pYS-11 量子古典融合手法による脆性破壊のシミュレーション
-
6p-A2-2 III-IV-V-VI系超格子のバンド構造
-
GaAsエピタキシャル成長における吸着-脱離現象への理論的アプローチ(結晶成長理論の最近の動向)
-
GaAs(111)A面上のエピタキシャル成長過程の理論的検討 : 成長界面III
-
22aC7 GaAs表面上吸着過程に関する量子論的シミュレーション(成長界面II)
-
3a-PS-47 YBa_2Cu_4O_8のホール係数
-
31p-YJ-1 希土類添加半導体における希土類原子の準位と4f内殻発光機構
-
21aXF-14 半導体ナノチューブ構造における励起子過程(表面・微粒子・ナノ結晶・低次元,領域5(光物性))
-
22aT-7 F終端Si(001)表面上へのF原子吸着
-
1p-YE-8 Si(001)-2×1表面上のF原子の吸着とSiF_3吸着子の形成
-
24aYL-8 第一原理計算からみたbcc Fe中の原子空孔に対する水素効果
-
24aYL-7 bcc Fe中の格子間水素の量子状態
-
26a-YM-2 Al(111)表面への酸素の吸着過程III
-
25p-T-10 III-As半導体中のフッ素原子の拡散過程
-
2a-YF-8 水素終端Si(100)ステップ表面におけるSi原子拡散
-
6a-H-10 Al(111)表面への酸素の吸着過程II
-
5a-B-1 水素終端Si(100)表面上のSi原子拡散の第一原理計算II : 水素原子の及ぼす効果
-
29p-F-13 水素終端Si(100)表面上のSi原子拡散の第一原理計算
-
31a-E-4 GaAs中のハロゲン原子の拡散過程
-
Al(001)表面への酸素の吸着過程
-
Se δ ドープGaAsの電子構造I : Ga空孔の効果
-
3a-X-12 SeδドープGaAsの電子構造
-
28a-ZA-5 第一原理計算からみたbcc金属中の水素の存在状態
-
28a-XB-2 第一原理計算によるM(dmit)_2塩(M=Ni, Pd)におけるダイマー構造の圧力変化
-
31p-YP-12 第一原理計算によるβ-(CH_3)_4N[Pd(dmit)_2]_2の圧力下の構造と電子状態II
-
6p-C-13 第一原理計算によるβ-(CH_3)_4N[Pd(dmit)_2]_2の圧力下の構造と電子状態
-
31a-C-11 (CH_3)_4N[M(dmit)_2]_2 (M=Ni, Pd)に対する第一原理電子状態計算
-
第一原理計算によるGaAs(111)A面上のエピタキシャル成長過程の検討
-
24pY-2 Si中のフッ素原子の安定サイトと荷電状態
-
第10回分子線エピタキシー国際会議
-
30a-YK-13 AlAs中の酸素原子の拡散過程
-
8a-S-3 GaAs中の酸素原子の拡散過程
-
GaAs/ErAs界面の原子配置と電子構造
-
27a-N-12 GaAs中のErと複合欠陥
-
28a-F-16 (InAs)m(GaAs)m m=1-7歪超格子の電子構造
-
23pWA-11 水素終端Si(100)表面上でのGe原子拡散のシミュレーション
-
28a-YM-1 水素終端Si(100)表面におけるGe原子拡散
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク