8a-S-3 GaAs中の酸素原子の拡散過程
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1997-09-16
著者
関連論文
- 27pPSA-15 Pdナノワイヤーにおける強磁性発現機構の第一原理計算による研究(27pPSA 領域3ポスターセッション 薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,微小領域磁性,遍歴磁性,化合物磁性,f電子系磁性磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 6p-A2-2 III-IV-V-VI系超格子のバンド構造
- GaAsエピタキシャル成長における吸着-脱離現象への理論的アプローチ(結晶成長理論の最近の動向)
- GaAs(111)A面上のエピタキシャル成長過程の理論的検討 : 成長界面III
- 22aC7 GaAs表面上吸着過程に関する量子論的シミュレーション(成長界面II)
- 25p-T-8 InGaN中の格子欠陥の第一原理計算
- 31p-YJ-1 希土類添加半導体における希土類原子の準位と4f内殻発光機構
- 21aXF-14 半導体ナノチューブ構造における励起子過程(表面・微粒子・ナノ結晶・低次元,領域5(光物性))
- 25p-T-10 III-As半導体中のフッ素原子の拡散過程
- 31a-E-4 GaAs中のハロゲン原子の拡散過程
- 第一原理計算によるGaAs(111)A面上のエピタキシャル成長過程の検討
- 24pY-2 Si中のフッ素原子の安定サイトと荷電状態
- 第10回分子線エピタキシー国際会議
- 30a-YK-13 AlAs中の酸素原子の拡散過程
- 8a-S-3 GaAs中の酸素原子の拡散過程
- GaAs/ErAs界面の原子配置と電子構造
- 27a-N-12 GaAs中のErと複合欠陥
- 28a-F-16 (InAs)m(GaAs)m m=1-7歪超格子の電子構造
- 28a-YR-11 第一原理計算によるSi表面、Si/SiO_2界面における酸化領域成長の研究
- 5a-B-5 di-hydride Si(100)表面の初期酸化進行過程の第一原理計算
- 7p-J-4 シリコンナノ構造における酸化膜界面のSi-OH結合と発光
- 超ソフト擬ポテンシャル法を用いた光学遷移行列要素の計算