7p-J-4 シリコンナノ構造における酸化膜界面のSi-OH結合と発光

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1997-09-16

著者

• 白石 賢二

  NTT基礎研

• 白石 賢二

  筑波大学物理学系

• 白石 賢二

  筑波大物理

• 影島 博之

  NTT基礎研

関連論文

• 先端追跡
• 27aTB-8 カゴメ型量子ドット列における磁場効果
• 27p-T-12 InAs/GaAs(110)ヘテロ界面におけるミスフィット転位の電子構造III
• 1p-YB-1 蛋白質ナノチューブにおけるプロトンの挙動
• 31p-YK-11 InAs/GaAs(110)ヘテロ接合におけるミスフィット転位の電子構造II
• 6a-A-12 梯子状As高分子の分子構造と電子構造
• 7a-S-3 InAs/GaAs(110)ヘテロ接合におけるミスフィット転位の電子構造
• 28p-E-14 Si中線状欠陥の電子構造
• 29p-WE-6 タンパク質ナノチューブの電子構造
• 29a-WE-11 アミノ酸側鎖におけるベンゼン環の電子論的考察
• ハロゲン化シリコン高分子の電子構造
• 水素化ゲルマニウムクラスターの安定構造と電子状態
• 3a-K-10 水素化シリコンの安定構造と電子状態
• 30a-X-9 梯子状砒素高分子の電子構造
• 01aB11 GaN/GaN(001)における成長初期過程の理論検討(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
• HfO_2系high-kゲート絶縁膜信頼性劣化の物理モデル(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 15aTB-2 TC-VMC 法による He 原子の励起状態計算(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
• 13p-DC-7 シリコン量子細線の電子構造 : 細線方向依存性
• 27a-Y-12 GaAs(001)面上Ga原子拡散の断熱ポテンシャル面とその被覆率依存性
• GaAs表面構造の安定性に対する量子論的アプローチ
• GaAsエピタキシャル成長における吸着-脱離現象への理論的アプローチ(結晶成長理論の最近の動向)
• 27p-YL-6 第一原理吸着計算に基づいたモンテカルロ法とそのGaAs薄膜成長への応用
• 22aYD-7 金属, 半導体表面における非局在表面状態
• 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
• 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
• 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
• パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
• 19pXB-2 Si複空孔欠陥構造に関する大規模第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• Siダングリングボンドネットワークにおける磁性の理論
• 30aWE-5 密度汎関数理論に基づくポリグリシンおよびチトクロム酸化酵素の電子構造(生物理一般)(領域12)
• 20pYE-7 Al および Si 原子鎖のコンダクタンス計算
• 第一原理計算によるZrB_2基板上GaNエピタキシャル成長の理論的研究(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
• SiO_2中のB拡散の第一原理計算(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
• 25p-T-8 InGaN中の格子欠陥の第一原理計算
• 31a-Z-10 GaAs及びAlGaAsにおけるDXセンターの起源
• 6p-C-3 GaAs中の深いドナー準位-DXセンター-の基底状態と最適原子配置
• 4a-C-16 単原子層挿入系における電荷移動
• 2a-TA-12 Si-Ge共重合高分子の電子構造
• 15aPS-29 SiO_2/Si(100) での格子間 Si の研究(領域 9)
• 21pXA-9 SiO_2/Si(100) 界面近傍における余剰 Si 点欠陥の安定性
• 18pYJ-13 量子ドット超格子における平坦バンド強磁性
• 18pYJ-12 プラケット型量子ドット超格子における超伝導の可能性
• SiO_2中の拡散に与えるSi/SiO_2界面の影響
• パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
• 先端追跡
• 化合物半導体結晶成長過程とエレクトロンカウンティングモデル
• 5a-A-1 GaAs(001)表面におけるSi吸着初期過程の第一原理的考察
• 30p-G-5 シリコンクラスターにおける励起子の第一原理的計算
• シリコンクラスターの誘電率と励起子状態
• 半導体成長素過程の量子論(エピタキシャル成長の量子論)
• 2p-YA-1 半導体表面の構造のダイナミクス:序論
• Si酸化膜中におけるB拡散とSi自己拡散の相関(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• GaAsエピ成長中のGa吸着原子の役割
• 31a-J-4 GaAs(001)面における原子の吸着とエレクトロンカウンティングモデルの関係
• 新しい物理モデルに基づいたシリコン熱酸化のシミュレーション
• 解説 シリコン熱酸化の新しい描像
• 極薄シリコン酸化膜形成の理論
• 24pPSA-56 si酸化膜界面におけるSi原子の振る舞い
• Si/SiO_2界面形成における歪みの役割
• 30p-Q-13 シロキセン・ゲルモキセンの励起子構造
• 30p-Q-12 シロキセン・ゲルモキセンの電子構造
• 30p-Q-11 Si微結晶の可視発光と表面効果
• 13pYC-7 量子ドット列における調節可能な RKKY 交換相互作用(量子ドット : 理論, 領域 4)
• 1a-ZA-5 タンパク質の電子構造
• 30a-YK-13 AlAs中の酸素原子の拡散過程
• 8a-S-3 GaAs中の酸素原子の拡散過程
• 27aY-13 Si(100)表面酸化に伴う表面からのSi原子放出量の理論検討
• 28a-YR-11 第一原理計算によるSi表面、Si/SiO_2界面における酸化領域成長の研究
• 28a-G-11 ポリシランにおける構造欠陥とその電子構造I(理論)
• 30a-H-12 ポリスタンナンの電子構造
• 26p-M-4 ポリシラン中の水素原子の断熱ポテンシャル面の計算
• 5a-B-5 di-hydride Si(100)表面の初期酸化進行過程の第一原理計算
• 7p-J-4 シリコンナノ構造における酸化膜界面のSi-OH結合と発光
• 超ソフト擬ポテンシャル法を用いた光学遷移行列要素の計算
• 27aXJ-10 多軌道tight-binding modelによるシリセンのエッジ状態(27aXJ 領域7,領域4合同 グラフェン(表面界面・新物質),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aDK-9 多軌道tight-binding modelを用いた積層シリセンの電子状態(グラフェン(新物質・表面界面),領域7,領域4合同,領域7(分子性個体・有機導体))
• 24aYF-8 Si(111)表面上に構築されたネットワーク構造における磁性(24aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 31p-G-1 GaAs中のDXセンターの圧力依存性(31pG 半導体(深い不純物))
• 31p-G-2 DXセンターによる永続光電流の一モデル(31pG 半導体(深い不純物))
• 29a-G-1 GaAs中In単原子層挿入系の電子状態(29aG 半導体(超格子))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク