白石 賢二 | NTT基礎研

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概要

• 同名の論文著者
• NTT基礎研の論文著者

関連著者

• 白石 賢二

  NTT基礎研

• 白石 賢二

  筑波大学数理物質科学研究科物質創成先端科学専攻

• 武田 京三郎

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 白石 賢二

  NTT物性科学基礎研究所

• 武田 京三郎

  早大理工

• 武田 京三郎

  Ntt基礎研

• 山口 栄一

  Ntt基礎研

• 小山 紀久

  物材機構

• 太田 英二

  慶應義塾大学大学院理工学研究科

• 太田 英二

  慶大 理工

• 小山 紀久

  慶大理工

• 太田 英二

  慶大理工

• 白石 賢二

  筑波大学物理学系

• 白石 賢二

  筑波大物理

• 影島 博之

  NTT基礎研

• 伊藤 智徳

  三重大学工学部理工学科

• 小川 哲生

  大阪市立大学工学部応用物理学科

• 小川 哲生

  Ntt基礎研

• 深作 克彦

  早大理工

• 境 悠治

  日本電子(株)

• 重川 秀実

  筑波大物質工

• 高河原 俊秀

  NTT基礎研

• 関 一彦

  名大物質研・院理

• 大野 隆央

  物材機構

• 大野 隆央

  Ntt基礎研究所

• 伊藤 智徳

  Nttシステムエレクトロニクス研究所

• 金光 義彦

  筑波大物理

• 高河原 俊秀

  Ntt物性基礎研

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 生天目 博文

  広大放射光セ

• 関 一彦

  名大院理

• 生天目 博文

  広大

• 佐々木 健

  北大院工

• 小山 紀久

  慶大院理工

• 太田 英二

  慶大院理工

• 田代 雅典

  早大理工

• 本山 英志

  早大理工

• 遠藤 利洋

  早大理工

• 高野 敏明

  慶大理工

• 多田 博一

  京大工

• 磯部 徹彦

  慶大理工

• 一村 信吾

  電総研

• 大野 隆央

  Ntt Lsi研究所

• セルバクマール ナイア

  Ntt基礎研

• 大野 隆央

  NTTLSI研究所

• 伊藤 智徳

  NTTLSI研究所

• 金光 義彦

  筑波大 物理

• 舛本 泰章

  筑波大 物理

• 重川 秀実

  筑波大

• 境 悠治

  日本電子

• 松本 信雄

  Ntt基礎研究所

• 伊東 智徳

  NTTシステムエレ研

• Nair Selvakumar

  科技団単一量子点プロジェクト

• 伊藤 智徳

  LSI研

• 松本 信雄

  NTT基礎研

• 白石 賢二

  NTT基礎研究所

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著作論文

• 先端追跡
• 27p-T-12 InAs/GaAs(110)ヘテロ界面におけるミスフィット転位の電子構造III
• 1p-YB-1 蛋白質ナノチューブにおけるプロトンの挙動
• 31p-YK-11 InAs/GaAs(110)ヘテロ接合におけるミスフィット転位の電子構造II
• 6a-A-12 梯子状As高分子の分子構造と電子構造
• 7a-S-3 InAs/GaAs(110)ヘテロ接合におけるミスフィット転位の電子構造
• 28p-E-14 Si中線状欠陥の電子構造
• 29p-WE-6 タンパク質ナノチューブの電子構造
• 29a-WE-11 アミノ酸側鎖におけるベンゼン環の電子論的考察
• ハロゲン化シリコン高分子の電子構造
• 水素化ゲルマニウムクラスターの安定構造と電子状態
• 3a-K-10 水素化シリコンの安定構造と電子状態
• 30a-X-9 梯子状砒素高分子の電子構造
• 13p-DC-7 シリコン量子細線の電子構造 : 細線方向依存性
• 27a-Y-12 GaAs(001)面上Ga原子拡散の断熱ポテンシャル面とその被覆率依存性
• 27p-YL-6 第一原理吸着計算に基づいたモンテカルロ法とそのGaAs薄膜成長への応用
• 25p-T-8 InGaN中の格子欠陥の第一原理計算
• 31a-Z-10 GaAs及びAlGaAsにおけるDXセンターの起源
• 6p-C-3 GaAs中の深いドナー準位-DXセンター-の基底状態と最適原子配置
• 4a-C-16 単原子層挿入系における電荷移動
• 2a-TA-12 Si-Ge共重合高分子の電子構造
• 先端追跡
• 化合物半導体結晶成長過程とエレクトロンカウンティングモデル
• 5a-A-1 GaAs(001)表面におけるSi吸着初期過程の第一原理的考察
• 30p-G-5 シリコンクラスターにおける励起子の第一原理的計算
• シリコンクラスターの誘電率と励起子状態
• 半導体成長素過程の量子論(エピタキシャル成長の量子論)
• 2p-YA-1 半導体表面の構造のダイナミクス:序論
• GaAsエピ成長中のGa吸着原子の役割
• 31a-J-4 GaAs(001)面における原子の吸着とエレクトロンカウンティングモデルの関係
• 30p-Q-13 シロキセン・ゲルモキセンの励起子構造
• 30p-Q-12 シロキセン・ゲルモキセンの電子構造
• 30p-Q-11 Si微結晶の可視発光と表面効果
• 1a-ZA-5 タンパク質の電子構造
• 28a-YR-11 第一原理計算によるSi表面、Si/SiO_2界面における酸化領域成長の研究
• 28a-G-11 ポリシランにおける構造欠陥とその電子構造I(理論)
• 30a-H-12 ポリスタンナンの電子構造
• 26p-M-4 ポリシラン中の水素原子の断熱ポテンシャル面の計算
• 5a-B-5 di-hydride Si(100)表面の初期酸化進行過程の第一原理計算
• 7p-J-4 シリコンナノ構造における酸化膜界面のSi-OH結合と発光
• 超ソフト擬ポテンシャル法を用いた光学遷移行列要素の計算
• 31p-G-1 GaAs中のDXセンターの圧力依存性(31pG 半導体(深い不純物))
• 31p-G-2 DXセンターによる永続光電流の一モデル(31pG 半導体(深い不純物))
• 29a-G-1 GaAs中In単原子層挿入系の電子状態(29aG 半導体(超格子))

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