一村 信吾 | 電総研
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概要
関連著者
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一村 信吾
電総研
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清水 肇
電総研
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国分 清秀
電子技術総合研究所
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国分 清秀
電総研
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清水 肇
電子技術総合研究所
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中村 健
産業技術総合研究所
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一村 信吾
電子技術総合研究所
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中村 健
電総研
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井藤 浩志
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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関根 重幸
電子技術総合研究所
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関根 重幸
産業技術総合研究所
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関根 重幸
産総研
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関根 重幸
東京工業大学資源化学研究所
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関根 重幸
(独)産業技術総合研究所技術情報部門
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一村 信吾
産業技術総合研
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野中 秀彦
電総研
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井藤 浩志
電総研
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大和田野 芳郎
電総研
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松本 裕治
電総研
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境 悠治
日本電子(株)
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黒河 明
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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多田 博一
京大工
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磯部 徹彦
慶大理工
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細川 俊介
電総研
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黒河 明
電総研
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野中 秀彦
産業技術総合研究所
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橋詰 宙子
電総研
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生天目 博文
広大放射光セ
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岡野 達雄
東大生研
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生天目 博文
広大
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佐々木 健
北大院工
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重川 秀実
筑波大物質工
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福井 賢一
東京工業大学大学院理工学研究科化学専攻
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清水 貴思
電総研
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白石 賢二
NTT基礎研
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水谷 亘
電総研
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磯部 徹彦
慶應義塾大学 理工学部応用化学科
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関 一彦
名大物質研・院理
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岩澤 康裕
東大理
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大西 洋
東大理
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福井 賢一
東大理
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寺田 啓子
東大生研
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荒井 和雄
電子技術総合研究所材料科学部
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平田 正紘
電子技術総合研究所
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荒井 和雄
電総研
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多田 博一
京大院工
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野中 秀彦
電子技術総合研究所材料科学部
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酒井 滋樹
電総研
著作論文
- 先端追跡
- 14a-DH-7 STMによるSi表面上での有機ガリウム分解反応の観察
- 先端追跡
- レーザーイオン化による極高真空計測-分子密度計測の可能性-
- 極高真空におけるアトムカウンティング技術
- 4a-Q-11 MonohydrideおよびPolyhydride吸着Si(111)7×7表面の2次非線形光学特性
- 31a-WC-12 水素吸着によるSi(111)7x7表面の2次非線形光学特性の変化
- ピコ秒レーザによるガスイオン化特性と真空計測
- 極高真空装置の残留ガス特性 (活性粒子による新表層材料創製の研究)
- オゾンを利用したホット粒子の発生と酸化物薄膜形成への応用 (活性粒子による新表層材料創製の研究)
- 極高真空のための新計測技術
- 30p-R-8 非共鳴多光子イオン化におけるレーザ波長効果
- 30p-R-8 非共鳴多光子イオン化におけるレーザ波長効果
- 2次中性粒子質量分析法
- 〔工業技術院電子技術総合研究所〕研究設備紹介-17-レ-ザによる圧力計測のための極高真空装置
- レ-ザを用いた圧力計測-2-レ-ザ生成イオンの新しい検出システム
- レ-ザを用いた圧力計測-1-各種気体のレ-ザ・イオン化特性
- レ-ザ-励起法による固体表面微量分析--スパッタされた中性原子の利用 (極限技術と応用物理特集号) -- (分析・計測技術の極限)
- 光による原子検出 (光と真空特集号)
- 28p-APS-52 逐次蒸着によるYBa_2Cu_3O_薄膜の作製とその成長機構
- 24pPSA-61 MIM接合型スピン電子源の作成II
- 24aPS-41 Si(100)上でのオゾンによる酸化初期過程のSTM観察
- 22pT-15 オゾン酸化法を用いたMIM, MIS接合型電子源の作成 : 新しいスピン偏極電子源の作成の可能性
- 光による原子検出
- 純オゾン源によるMBE法
- 原子を1個ずつ検出する技術--レ-ザ-を用いたアトムカウンティング
- 微細加工評価用イオンビ-ム技術の研究--レ-ザ-イオン化によるアトムカウンティングと表面計測への応用 (超先端加工システムの研究開発)
- 光エレクトロニクスは21世紀を導く!--レ-ザを用いる"アトムカウンティング"とは何か?
- 〔工業技術院電子技術総合研究所〕研究設備紹介-19-オゾンビ-ム発生装置
- レ-ザを用いた単原子計測とSNMS (マイクロビ-ムアナリシスの現状と展望) -- (レ-ザによるマイクロアナリシス)
- 31a-G1-3 稀ガスの非共鳴多光子吸収イオン化(量子エレクトロニクス・原子・分子合同セッション)
- 31a-G1-3 稀ガスの非共鳴多光子吸収イオン化(量子エレクトロニクス・原子・分子合同セッション)