微細加工評価用イオンビ-ム技術の研究--レ-ザ-イオン化によるアトムカウンティングと表面計測への応用 (超先端加工システムの研究開発<特集>)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 先端追跡
- 14a-DH-7 STMによるSi表面上での有機ガリウム分解反応の観察
- 先端追跡
- レーザーイオン化による極高真空計測-分子密度計測の可能性-
- 極高真空におけるアトムカウンティング技術
- 4a-Q-11 MonohydrideおよびPolyhydride吸着Si(111)7×7表面の2次非線形光学特性
- 31a-WC-12 水素吸着によるSi(111)7x7表面の2次非線形光学特性の変化
- ピコ秒レーザによるガスイオン化特性と真空計測
- 極高真空装置の残留ガス特性 (活性粒子による新表層材料創製の研究)
- オゾンを利用したホット粒子の発生と酸化物薄膜形成への応用 (活性粒子による新表層材料創製の研究)
- 極高真空のための新計測技術
- 30p-R-8 非共鳴多光子イオン化におけるレーザ波長効果
- 30p-R-8 非共鳴多光子イオン化におけるレーザ波長効果
- 2次中性粒子質量分析法
- 〔工業技術院電子技術総合研究所〕研究設備紹介-17-レ-ザによる圧力計測のための極高真空装置
- レ-ザを用いた圧力計測-2-レ-ザ生成イオンの新しい検出システム
- レ-ザを用いた圧力計測-1-各種気体のレ-ザ・イオン化特性
- レ-ザ-励起法による固体表面微量分析--スパッタされた中性原子の利用 (極限技術と応用物理特集号) -- (分析・計測技術の極限)
- 光による原子検出 (光と真空特集号)
- 28p-APS-52 逐次蒸着によるYBa_2Cu_3O_薄膜の作製とその成長機構
- 24pPSA-61 MIM接合型スピン電子源の作成II
- 24aPS-41 Si(100)上でのオゾンによる酸化初期過程のSTM観察
- 22pT-15 オゾン酸化法を用いたMIM, MIS接合型電子源の作成 : 新しいスピン偏極電子源の作成の可能性
- 光による原子検出
- 純オゾン源によるMBE法
- 原子を1個ずつ検出する技術--レ-ザ-を用いたアトムカウンティング
- 微細加工評価用イオンビ-ム技術の研究--レ-ザ-イオン化によるアトムカウンティングと表面計測への応用 (超先端加工システムの研究開発)
- 光エレクトロニクスは21世紀を導く!--レ-ザを用いる"アトムカウンティング"とは何か?
- 〔工業技術院電子技術総合研究所〕研究設備紹介-19-オゾンビ-ム発生装置
- レ-ザを用いた単原子計測とSNMS (マイクロビ-ムアナリシスの現状と展望) -- (レ-ザによるマイクロアナリシス)
- 31a-G1-3 稀ガスの非共鳴多光子吸収イオン化(量子エレクトロニクス・原子・分子合同セッション)
- 31a-G1-3 稀ガスの非共鳴多光子吸収イオン化(量子エレクトロニクス・原子・分子合同セッション)