中村 健 | 電総研

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• 中村 健

  電総研

• 中村 健

  産業技術総合研究所

• 一村 信吾

  電総研

• 清水 肇

  電総研

• 黒河 明

  産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門

• 井藤 浩志

  産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門

• 一村 信吾

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• 井藤 浩志

  電総研

• 黒河 明

  電総研

• 堂免 一成

  東京工業大学資源化学研究所

• 清水 肇

  電子技術総合研究所

• 中村 健

  電子技術総合研究所

• 橋詰 宙子

  電子技術総合研究所

• 山本 浩義

  東京工業大学資源化学研究所

• 大西 孝治

  東京工業大学資源化学研究所

• 堂免 一成

  東京工業大学・資源化学研究所

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著作論文

• 4a-Q-11 MonohydrideおよびPolyhydride吸着Si(111)7×7表面の2次非線形光学特性
• 31a-WC-12 水素吸着によるSi(111)7x7表面の2次非線形光学特性の変化
• 24aPS-41 Si(100)上でのオゾンによる酸化初期過程のSTM観察
• 22pT-15 オゾン酸化法を用いたMIM, MIS接合型電子源の作成 : 新しいスピン偏極電子源の作成の可能性
• 第二高調波発生 (SHG) によるSi (111) 単結晶表面上の吸着種の研究

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