中村 健 | 産業技術総合研究所
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概要
関連著者
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中村 健
産業技術総合研究所
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一村 信吾
産業技術総合研
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黒河 明
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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一村 信吾
電子技術総合研究所
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中村 健
電子技術総合研究所
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黒河 明
電子技術総合研究所
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一村 信吾
電総研
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中村 健
電総研
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野中 秀彦
産業技術総合研究所
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井藤 浩志
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
-
野中 秀彦
電子技術総合研究所
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村上 寛
産総研
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清水 肇
電総研
-
村上 寛
産業技術総合研究所
-
村上 寛
電子技術総合研究所
-
一村 信吾
産業技術総合研究所
-
一村 信吾
工業技術院電子技術総合研究所 極阪技術部
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井藤 浩志
電総研
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黒河 明
電総研
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野中 秀彦
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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一村 信吾
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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亀田 直人
株式会社 明電舎
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西口 哲也
株式会社 明電舎
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一村 信吾
電子技術総合研究所極限技術部
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姜 煕載
忠北大学
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亀田 直人
産業技術総合研究所
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西口 哲也
産業技術総合研究所
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井藤 浩志
電子技術総合研究所
著作論文
- 4a-Q-11 MonohydrideおよびPolyhydride吸着Si(111)7×7表面の2次非線形光学特性
- 31a-WC-12 水素吸着によるSi(111)7x7表面の2次非線形光学特性の変化
- 高純度オゾンによるシリコン酸化膜の作製と評価
- 活性酸素発生用イオン源
- 1,1,1,3,3,3-ヘキサメチルジシラザン(HMDS)とオゾンによるシリコン酸化膜成長 : 赤外吸収スペクトルによる解析
- 試料導入室における試料汚染要因
- 24aPS-41 Si(100)上でのオゾンによる酸化初期過程のSTM観察
- 22pT-15 オゾン酸化法を用いたMIM, MIS接合型電子源の作成 : 新しいスピン偏極電子源の作成の可能性
- 極薄シリコン酸化膜の新しい作製手法の開発--超高密度記録素子作製に向けた大きな一歩
- オゾン分解反応計測用指向性質量分析器の指向特性
- 高濃度オゾンの発生と応用技術
- 高濃度オゾンで形成した極薄シリコン酸化膜の界面構造
- 高純度オゾンビームを利用したシリコン酸化膜形成と表面クリーニング
- オゾンによる水素終端シリコン酸化の面方位依存性
- 第二高調波発生(SHG)によるシリコン表面の信号検出深さ
- 純オゾンビームの発生とシリコン極薄酸化膜作製への応用
- 非線形光学効果と表面/界面物性 (表面エレクトロニクスに関する調査報告) -- (表面物性と電子状態)