黒河 明 | 産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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概要
関連著者
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黒河 明
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
-
一村 信吾
産業技術総合研
-
中村 健
産業技術総合研究所
-
一村 信吾
電子技術総合研究所
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黒河 明
電子技術総合研究所
-
野中 秀彦
産業技術総合研究所
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一村 信吾
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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黒河 明
産業技術総合研 計測フロンティア研究部門
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野中 秀彦
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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一村 信吾
産業技術総合研究所
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中村 健
電子技術総合研究所
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井藤 浩志
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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一村 信吾
工業技術院電子技術総合研究所 極阪技術部
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鈴木 淳
産業技術総合研究所地質情報研究部門
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鈴木 淳
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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鈴木 淳
産業技術総合研究所
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北條 久男
バキュームプロダクツ株式会社
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齋藤 直昭
産業技術総合研究所
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藤本 俊幸
産業技術総合研究所
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藤本 俊幸
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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野中 秀彦
電子技術総合研究所
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小林 太吉
ブイピイアイ(株)
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齋藤 直昭
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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村上 寛
産総研
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清水 肇
電子技術総合研究所
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清水 肇
電総研
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村上 寛
産業技術総合研究所
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村上 寛
電子技術総合研究所
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関根 重幸
電子技術総合研究所
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関根 重幸
産業技術総合研究所
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関根 重幸
産総研
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一村 信吾
電総研
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関根 重幸
東京工業大学資源化学研究所
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関根 重幸
(独)産業技術総合研究所技術情報部門
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国分 清秀
電子技術総合研究所
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中村 健
電総研
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国分 清秀
電総研
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富田 充裕
株式会社東芝研究開発センター
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藤原 幸雄
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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井藤 浩志
電総研
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黒河 明
電総研
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井藤 浩志
産業技術総合研究所
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茂里 康
産業技術総合研究所 人間系特別研究体
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吉原 一紘
金属材料技術研究所
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吉原 一紘
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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佐藤 吉博
高エネルギー加速器研究機構
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溝田 武志
新技団
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西口 哲也
株式会社 明電舎
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森川 良樹
株式会社 明電舎
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斉藤 芳男
高エネルギー物理学研究所
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大久保 雅隆
産業技術総合研究所
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浮辺 雅宏
産業技術総合研究所
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大久保 雅隆
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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東 康史
産業技術総合研究所
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久志野 彰寛
旭川工業高等専門学校一般理数科
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東 康史
(独)産業技術総合研究所計測標準研究部門
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久志野 彰寛
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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溝田 武志
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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絹見 朋也
産業技術総合研究所ヒューマンストレスシグナル研究センター
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塚原 園子
産業技術総合研究所
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茂里 康
(独)産業技術総合研究所セルエンジニアリング研究部門
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浮辺 雅宏
産総研
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姜 煕載
忠北大学
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尾高 憲二
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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西口 哲也
株式会社明電舎
-
森川 良樹
株式会社明電舎
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渡辺 幸次
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
-
近藤 貢二
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
-
寺西 義一
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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北條 久男
パキュームプロダクツ株式会社
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井藤 浩志
電子技術総合研究所
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宮本 正春
株式会社明電舎材料・デバイス研究部
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絹見 朋也
(独)産業技術総合研究所 ヒューマンストレスシグナル研究センター
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黒河 明
独立行政法人産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門先端シリコンデバイスグループ
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斉藤 芳男
高エネルギー加速器研究機構
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浮辺 雅宏
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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塚原 園子
日本真空技術 筑波超材研
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鄭 在仁
金属材料技術研究所
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toth j.
金属材料技術研究所
-
黒河 明
独立行政法人産業技術総合研究所
著作論文
- 水晶振動子計測によるプラズマ気相成分分析
- 2種類の圧力測定子を用いた水素漏洩検知
- 二成分濃度測定法における温度・湿度の影響
- 金属クラスター錯体イオンビームの発生とその応用
- 超伝導検出器を搭載した飛行時間質量分析器の開発
- レーザによる極高真空計測の高感度化
- レーザ生成イオンの飛行時間型質量分析における検出効率の質量依存性
- 高純度オゾンによるシリコン酸化膜の作製と評価
- 活性酸素発生用イオン源
- シリコン酸化膜の構造遷移層の密度分布解析
- 2種類の圧力計による大気圧O_2/O_3混合ガスのO_3濃度計測
- 遷移金属の酸化還元反応を用いた新しいオゾン分解法
- 水晶摩擦真空計を用いた2成分混合気体の濃度計測
- 試料導入室における試料汚染要因
- 24aPS-41 Si(100)上でのオゾンによる酸化初期過程のSTM観察
- 22pT-15 オゾン酸化法を用いたMIM, MIS接合型電子源の作成 : 新しいスピン偏極電子源の作成の可能性
- 新しい低温酸化プロセスの開発 (特集 新世代を拓くプロセス技術)
- 高品位シリコン酸化膜のオゾンによる低温作製技術 (特集 半導体プロセス技術のイノベーション)
- 極薄シリコン酸化膜の新しい作製手法の開発--超高密度記録素子作製に向けた大きな一歩
- オゾン分解反応計測用指向性質量分析器の指向特性
- 高濃度オゾンの発生と応用技術
- 高濃度オゾンで形成した極薄シリコン酸化膜の界面構造
- 高純度オゾンビームを利用したシリコン酸化膜形成と表面クリーニング
- オゾンによる水素終端シリコン酸化の面方位依存性
- 純オゾンビームの発生とシリコン極薄酸化膜作製への応用
- 表面構造の形成およびその場断層解析用真空装置の試作
- 表面電子分光断層解析装置によるオージェ電子分布の解析
- 気体中の水晶振動子のインピーダンスと周波数の圧力依存性の比較
- 金属クラスター錯体イオンビームの特性と二次イオン質量分析(SIMS)への応用
- 気体中の水晶振動子のインピーダンスと周波数の圧力依存性の比較
- 表面断層解析用装置によるSi表面層の観察
- 活性ビ-ムの表面反応を利用した表面構造制御とエレクトロニクスへの応用 (表面エレクトロニクスに関する調査報告) -- (表面改質と微細加工)