富田 充裕 | 株式会社東芝研究開発センター
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
富田 充裕
株式会社東芝研究開発センター
-
富田 充裕
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
山口 豪
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センター
-
山口 豪
(株)東芝 研究開発センター
-
小山 正人
(株)東芝
-
鈴木 正道
(株)東芝 研究開発センター
-
野中 秀彦
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
-
黒河 明
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
-
一村 信吾
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
-
井藤 浩志
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
-
齋藤 直昭
産業技術総合研究所
-
藤本 俊幸
産業技術総合研究所
-
藤本 俊幸
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
-
一村 信吾
産業技術総合研
-
竹中 みゆき
(株)東芝環境技術研究所
-
小山 正人
東芝 研究開発センター
-
一村 信吾
工業技術院電子技術総合研究所 極阪技術部
-
立部 哲也
株式会社東芝研究開発センター
-
藤原 幸雄
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
-
野中 秀彦
産業技術総合研究所
-
齋藤 直昭
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
-
黒河 明
産業技術総合研 計測フロンティア研究部門
-
井藤 浩志
産業技術総合研究所
-
鈴木 淳
産業技術総合研究所地質情報研究部門
-
山田 裕司
株式会社東芝研究開発センター
-
松下 大介
(株)東芝研究開発センター
-
鈴木 淳
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
-
上牟田 雄一
半導体MIRAI-ASET
-
清水 達雄
(株)東芝研究開発センター
-
松下 大介
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
高島 章
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
西川 幸江
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
吉木 昌彦
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
福島 伸
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
竹野 史郎
(株)東芝 研究開発センター
-
小池 正浩
(株)東芝研究開発センター
-
井野 恒洋
(株)東芝研究開発センター
-
上牟田 雄一
(株)東芝研究開発センター
-
松永 秀樹
(株)東芝総合研究所
-
一村 信吾
産業技術総合研究所
-
小塚 祥二
株式会社東芝研究開発センター
-
竹中 みゆき
株式会社東芝研究開発センター
-
小池 三夫
(株)東芝
-
鈴木 淳
産業技術総合研究所
-
福島 伸
東芝 研開セ
-
田中 洋毅
(株)東芝研究開発センター
-
土屋 憲彦
(株)東芝
-
小池 三夫
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
竹野 史郎
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
渡辺 幸次
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
-
近藤 貢二
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
-
寺西 義一
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
-
吉木 昌彦
(株)東芝 研究開発センター
-
土屋 憲彦
(株)東芝半導体材料事業部
-
福島 伸
(株)東芝
-
竹野 史郎
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所
-
松永 秀樹
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所材料応用技術センター
-
清水 達雄
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
高島 章
東芝
-
井野 恒洋
東芝
-
田中 洋毅
(株)東芝 研究開発センター
著作論文
- 金属クラスター錯体イオンビームの発生とその応用
- LaAlO/Si基板界面への1原子層SrSi_2挿入による界面電気特性改善効果の実証(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- イオン交換分離/誘導結合プラズマ質量分析法による半導体用シリコンウェハー中の微量ヒ素の定量
- 先端LSIに向けた直接接合極薄ランタンアルミネートゲート絶縁膜
- 絶縁膜の結合状態、誘電特性評価法としてのTEM-EELSのポテンシャル(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 先端LSIに向けた直接接合極薄ランタンアルミネートゲート絶縁膜 (特集:酸化物界面の電子状態・構造)
- 半導体デバイスにおける不純物拡散層の高精度評価技術
- SIMS分析におけるマトリクス効果抑制とイオン生成過程
- 半導体の二次イオン質量分析技術 (特集 超微量分析技術)
- 加熱気化/誘導結合プラズマ質量分析法によるシリコンウェハー中の超微量クロム, 鉄, ニッケル及び銅の深さ方向分布の測定
- 金属クラスター錯体イオンビームの特性と二次イオン質量分析(SIMS)への応用