上牟田 雄一 | 半導体MIRAI-ASET
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概要
関連著者
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上牟田 雄一
半導体MIRAI-ASET
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小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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上牟田 雄一
(株)東芝研究開発センター
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小山 正人
東芝 研究開発センター
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小山 正人
(株)東芝研究開発センター
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小池 正浩
(株)東芝研究開発センター
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小山 正人
(株)東芝
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鈴木 正道
(株)東芝 研究開発センター
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西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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西山 彰
東芝 研究開発センター
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井野 恒洋
東芝
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井野 恒洋
(株)東芝研究開発センター
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西山 彰
(株)東芝研究開発センター
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飯島 良介
東芝
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西山 彰
(株)東芝 研究開発センター
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飯島 良介
(株)東芝研究開発センター
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関根 克行
東芝 セミコンダクター社
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高橋 正志
半導体mirai-aset
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後藤 正和
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
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水林 亘
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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森田 行則
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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太田 裕之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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岩本 邦彦
半導体MIRAI-ASET
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布重 裕
芝浦工業大学大学院工学研究科
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平野 晃人
半導体MIRAI-ASET
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小川 有人
半導体MIRAI-ASET
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渡邉 幸宗
半導体MIRAI-ASET
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生田目 俊秀
半導体MIRAI-ASET
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鳥海 明
半導体MIRAI-産総研ASRC
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山口 豪
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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川中 繁
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
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東 篤志
東芝セミコンダクター社
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土屋 義規
(株)東芝 研究開発センター
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後藤 正和
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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川中 繁
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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中嶋 一明
東芝
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中嶋 一明
東芝 セミコンダクター社
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長友 浩二
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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長友 浩二
東芝
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小野 瑞城
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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東 篤志
東芝
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辰村 光介
(株)東芝研究開発センター
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市原 玲華
(株)東芝研究開発センター
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辰村 光介
研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝
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長友 浩二
東芝セミコンダクター社
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中嶋 一明
東芝セミコンダクター社
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関根 克行
東芝セミコンダクター社
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小池 三夫
(株)東芝
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後藤 正和
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
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小池 三夫
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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市原 玲華
(株)東芝 研究開発センター
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山口 豪
(株)東芝 研究開発センター
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辰村 光介
(株)東芝 研究開発センター
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森田 行則
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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右田 真司
半導体mirai-産総研asrc
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水林 亘
半導体MIRAI-産総研ASRC
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太田 裕之
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
布重 裕
芝浦工業大学大学院 工学研究科
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森田 行則
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
右田 真司
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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水林 亘
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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森田 行則
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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鳥海 明
半導体MIRAI-産総研,東大工
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渡辺 健
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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須黒 恭一
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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右田 真司
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社
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吉木 昌彦
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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富田 充裕
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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鳥海 明
半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科
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江口 和弘
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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竹野 史郎
(株)東芝 研究開発センター
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森田 行則
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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須黒 恭一
(株)東芝
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関根 克行
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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太田 裕之
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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鎌田 善己
東芝
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井野 恒弘
東芝
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上牟田 雄一
東芝
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小山 正人
東芝
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西山 彰
東芝
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鳥海 明
東京大学
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右田 真司
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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江口 和弘
半導体理工学センター(STARC)
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生田目 俊秀
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構
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富田 充裕
株式会社東芝研究開発センター
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合瀬 路博
(株)東芝
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本郷 智恵
(株)東芝
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田中 洋毅
(株)東芝研究開発センター
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竹野 史郎
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
吉木 昌彦
(株)東芝 研究開発センター
-
江口 和弘
(株)東芝
-
竹野 史郎
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所
-
布重 裕
芝浦工業大学大学院工学研究科:半導体mirai-産総研asrc
-
右田 真司
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
田中 洋毅
(株)東芝 研究開発センター
-
水林 亘
産業技術総合研究所
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右田 真司
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
-
森田 行則
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
著作論文
- High-k MOSデバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO_2界面の役割(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 低待機時電力HfSiON-CMOSFET技術(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- アモルファスZrシリケートゲート絶縁膜を用いたGe p-MOSFETの正孔移動度
- HfSiONその高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- HfSiONその高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 反射電子エネルギー分光法(REELS)によるHfSiO_x膜の評価(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- ジルコニウム窒化膜低温酸化による耐熱性窒素添加ZrO_2ゲート絶縁膜
- 絶縁膜の結合状態、誘電特性評価法としてのTEM-EELSのポテンシャル(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- High-k MOS デバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO_2界面の役割