小川 有人 | 半導体MIRAI-ASET

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概要

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関連著者

• 小川 有人

  半導体MIRAI-ASET

• 高橋 正志

  半導体mirai-aset

• 太田 裕之

  半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター

• 岩本 邦彦

  半導体MIRAI-ASET

• 鳥海 明

  半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科

• 鳥海 明

  東京大学

• 生田目 俊秀

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構

• 生田目 俊秀

  半導体MIRAI-ASET

• 佐竹 秀喜

  半導体MIRAIプロジェクト-ASET

• 太田 裕之

  産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 右田 真司

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 水林 亘

  半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター

• 鳥海 明

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 門島 勝

  半導体MIRAIプロジェクト-ASET

• 右田 真司

  産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 右田 真司

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 水林 亘

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 太田 裕之

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 右田 真司

  産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門

• 水林 亘

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 鳥海 明

  半導体MIRAI-産総研,東大工

• 三瀬 信行

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)日立製作所中央研究所

• 藤原 英明

  Mirai-aset

• 森田 行則

  半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター

• 上牟田 雄一

  半導体MIRAI-ASET

• 布重 裕

  芝浦工業大学大学院工学研究科

• 平野 晃人

  半導体MIRAI-ASET

• 渡邉 幸宗

  半導体MIRAI-ASET

• 門島 勝

  MIRAI-ASET

• 小川 有人

  MIRAI-ASET

• 高橋 正志

  MIRAI-ASET

• 太田 裕之

  MIRAI-産総研ASRC

• 三瀬 信行

  MIRAI-ASET

• 岩本 邦彦

  MIRAI-ASET

• 右田 真司

  MIRAI-産総研ASRC

• 佐竹 秀喜

  MIRAI-ASET

• 生田目 俊秀

  MIRAI-ASET

• 鳥海 明

  MIRAI-産総研ASRC

• 森田 行則

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 右田 真司

  半導体mirai-産総研asrc

• 布重 裕

  芝浦工業大学大学院 工学研究科

• 森田 行則

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 水林 亘

  産業技術総合研究所

• 森田 行則

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 右田 真司

  半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター

• 鳥海 明

  東京大学大学院

• 森田 行則

  産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 鳥海 明

  東京大学大学院工学系研究科

• 布重 裕

  芝浦工業大学大学院工学研究科:半導体mirai-産総研asrc

• 森田 行則

  産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門

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著作論文

• High-k MOSデバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO_2界面の役割(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 高誘電体ゲート絶縁膜/Si基板界面改質によるトランジスタ特性と絶縁膜長期信頼性の改善
• Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 還元雰囲気下でのゲート電極形成プロセスによるHfO_2膜の初期絶縁破壊(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• High-k MOS デバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO_2界面の役割

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