三瀬 信行 | MIRAI-ASET
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概要
関連著者
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高橋 正志
半導体mirai-aset
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三瀬 信行
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)日立製作所中央研究所
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藤原 英明
Mirai-aset
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太田 裕之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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岩本 邦彦
半導体MIRAI-ASET
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小川 有人
半導体MIRAI-ASET
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佐竹 秀喜
半導体MIRAIプロジェクト-ASET
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門島 勝
半導体MIRAIプロジェクト-ASET
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門島 勝
MIRAI-ASET
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小川 有人
MIRAI-ASET
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高橋 正志
MIRAI-ASET
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太田 裕之
MIRAI-産総研ASRC
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三瀬 信行
MIRAI-ASET
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岩本 邦彦
MIRAI-ASET
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右田 真司
MIRAI-産総研ASRC
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佐竹 秀喜
MIRAI-ASET
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生田目 俊秀
MIRAI-ASET
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鳥海 明
MIRAI-産総研ASRC
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鳥海 明
半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科
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太田 裕之
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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鳥海 明
東京大学
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右田 真司
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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生田目 俊秀
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構
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右田 真司
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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右田 真司
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
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右田 真司
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
著作論文
- Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))