三瀬 信行 | (株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)日立製作所中央研究所
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概要
関連著者
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三瀬 信行
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)日立製作所中央研究所
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生田目 俊秀
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構
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鳥海 明
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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太田 裕之
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諸岡 哲
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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鳥海 明
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右田 真司
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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諸岡 哲
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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右田 真司
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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右田 真司
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
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右田 真司
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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由上 二郎
(株)日立製作所 中央研究所
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池田 和人
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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(株)半導体先端テクノロジーズ
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由上 二郎
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ (selete)
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生田目 俊秀
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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由上 二郎
ルネサス テクノロジ
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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門島 勝
ルネサステクノロジ
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三瀬 信行
日立製作所
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小野 哲郎
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
著作論文
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- Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
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