池田 和人 | (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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概要
関連著者
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池田 和人
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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岡林 潤
東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻
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尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻
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山本 智彦
富士通株式会社
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金 永ソク
(株)富士通研究所
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島宗 洋介
(株)富士通研究所
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早見 由香
(株)富士通研究所
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助川 和雄
(株)富士通研究所
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杉井 寿博
(株)富士通研究所
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岡林 潤
東大院工
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尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科
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池田 和人
富士通研究所
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臼田 宏治
半導体MIRAI-ASET
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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池田 圭司
(株)富士通研究所
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宮下 俊彦
(株)富士通研究所
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金永 ソク
(株)富士通研究所
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山本 知成
(株)富士通研究所
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三本杉 安弘
(株)富士通研究所
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落水 洋聡
(株)富士通研究所
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迫田 恒久
(株)富士通研究所
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南方 浩志
(株)富士通研究所
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大越 克明
富士通株式会社
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福田 真大
富士通株式会社
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岡部 堅一
富士通株式会社
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久保 智裕
富士通株式会社
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田島 貢
富士通株式会社
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大和田 保
富士通株式会社
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森 年史
富士通株式会社
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筑根 敦弘
(株)富士通研究所
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池田 和人
(株)富士通研究所
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加勢 正隆
富士通株式会社
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加瀬 正隆
富士通
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豊田 智史
東京大学大学院工学系研究科
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劉 紫園
半導体理工学研究センター
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岡林 潤
東京大学大学院工学系研究科
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劉 国林
半導体理工学研究センター
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池田 和人
半導体理工学研究センター
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臼田 宏治
半導体理工学研究センター
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス
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筑根 敦弘
(株)富士通
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尾嶋 正治
東大院工
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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組頭 広志
Jst-crest:東大院工
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松木 武雄
半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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三瀬 信行
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)日立製作所中央研究所
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助川 和雄
富士通株式会社
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組頭 広志
東大工
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栄森 貴尚
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)ルネサステクノロジ
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由上 二郎
(株)日立製作所 中央研究所
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ
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松木 武雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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諸岡 哲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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由上 二郎
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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池田 圭司
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
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栄森 貴尚
(株)ルネサステクノロジ
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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組頭 広志
東京大学大学院工学系研究科
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高橋 晴彦
東大工
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高橋 晴彦
東京大学大学院工学系研究科
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諸岡 哲
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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生田目 俊秀
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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由上 二郎
ルネサス テクノロジ
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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生田目 俊秀
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
諸岡 哲
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
著作論文
- トランジスタ領域毎に最適化された複数歪技術を用いる45nm高性能・低リークバルクロジックプラットフォーム技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 低しきい値pMISFETに向けたAl_2O_3を堆積させたHfO_2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- トランジスタ領域毎に最適化された複数歪技術を用いる45nmノード高性能・低リークバルクロジックプラットフォーム技術
- 角度分解光電子分光を用いたSiO_2/SiN積層膜の窒素濃度分布の解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 光電子分光とX線吸収分光を用いた絶縁膜の化学結合状態、結晶化状態およびバンドオフセットの評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)