早見 由香 | (株)富士通研究所
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概要
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橋本 浩一
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佐藤 成生
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富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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池田 圭司
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
著作論文
- トランジスタ領域毎に最適化された複数歪技術を用いる45nm高性能・低リークバルクロジックプラットフォーム技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- プロセス最適化によるSiGeソース・ドレインPMOSFETの性能向上
- Σ型SiGe-SD構造を有する超高速45nmノード・バルクCMOSデバイス
- Σ型SiGe-SD構造を有する超高速45nmノード・バルクCMOSデバイス(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- トランジスタ領域毎に最適化された複数歪技術を用いる45nmノード高性能・低リークバルクロジックプラットフォーム技術