宮下 俊彦 | (株)富士通研究所

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概要

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関連著者

• 宮下 俊彦

  (株)富士通研究所

• 山本 智彦

  富士通株式会社

• 金 永ソク

  (株)富士通研究所

• 島宗 洋介

  (株)富士通研究所

• 早見 由香

  (株)富士通研究所

• 助川 和雄

  (株)富士通研究所

• 杉井 寿博

  (株)富士通研究所

• 池田 和人

  富士通研究所

• 池田 和人

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 杉井 寿博

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

• 池田 圭司

  (株)富士通研究所

• 金永 ソク

  (株)富士通研究所

• 山本 知成

  (株)富士通研究所

• 三本杉 安弘

  (株)富士通研究所

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  (株)富士通研究所

• 迫田 恒久

  (株)富士通研究所

• 南方 浩志

  (株)富士通研究所

• 大越 克明

  富士通株式会社

• 福田 真大

  富士通株式会社

• 岡部 堅一

  富士通株式会社

• 久保 智裕

  富士通株式会社

• 田島 貢

  富士通株式会社

• 大和田 保

  富士通株式会社

• 森 年史

  富士通株式会社

• 筑根 敦弘

  (株)富士通研究所

• 池田 和人

  (株)富士通研究所

• 加勢 正隆

  富士通株式会社

• 加瀬 正隆

  富士通

• 吉田 英司

  富士通研究所

• 田中 徹

  (株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所

• 杉井 寿博

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 筑根 敦弘

  (株)富士通

• 奈良 安雄

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 赤坂 泰志

  東京エレクトロン株式会社

• 奈良 安雄

  (株)富士通研究所 Ulsi研究部門

• 石井 賢

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 助川 和雄

  富士通株式会社

• 幸山 裕亮

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 田中 正幸

  東芝

• 田中 正幸

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 池田 圭司

  半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)

• 赤坂 泰志

  株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 宮下 俊彦

  富士通研究所

• 新田 博行

  株式会社東芝セミコンダクター社

• chou P.H.

  Winbond electronics corp.

• 橋本 浩一

  富士通研究所

• 田中 徹

  富士通研究所

• 奈良 安雄

  富士通研究所

• 橋本 浩一

  富士通

• 吉田 英司

  (株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所

• 幸山 裕亮

  株式会社東芝セミコンダクター社

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著作論文

• トランジスタ領域毎に最適化された複数歪技術を用いる45nm高性能・低リークバルクロジックプラットフォーム技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• トランジスタ領域毎に最適化された複数歪技術を用いる45nmノード高性能・低リークバルクロジックプラットフォーム技術
• 大容量メモリ混載システムLSI用低温プロセスの開発(先端CMOS及びプロセス関連技術)
• キャパシタレス1T-DRAMのスケーラビリティ : ダブルゲートFinDRAMの提案(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

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