キャパシタレス1T-DRAMのスケーラビリティ : ダブルゲートFinDRAMの提案(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
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概要
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キャパシタレス1T-DRAMの動作原理とスケーラビリティについて議論し、50nm以下のゲート長へ微細化するための指針を提案する。またその微細化指針に沿ったデバイスとしてダブルゲート構造のFinFET型1T-DRAM(FinDRAM)を提案し、動作機構の詳細について議論をする。最後に1T-DRAMの製品適用に関して簡単な考察を行う。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-14
著者
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