吉田 英司 | (株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所
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概要
関連著者
著作論文
- キャパシタレス1T-DRAMのスケーラビリティ : ダブルゲートFinDRAMの提案(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- エネルギー効率からみたパワーゲーティングとDVFSの比較(低電圧・低消費電力ディジタル回路,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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