吉田 英司 | 富士通研究所
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概要
関連著者
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吉田 英司
富士通研究所
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吉田 英司
(株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所
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籾山 陽一
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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宮下 俊彦
(株)富士通研究所
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井上 淳樹
(株)富士通研究所
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籾山 陽一
富士通(株)
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田中 徹
(株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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児島 学
富士通
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赤坂 泰志
東京エレクトロン株式会社
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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森岡 博
富士通(株)
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杉井 寿博
(株)富士通研究所
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石井 賢
株式会社東芝セミコンダクター社
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幸山 裕亮
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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青山 敬幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
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福留 秀暢
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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佐藤 成生
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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田中 正幸
東芝
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田中 正幸
株式会社東芝セミコンダクター社
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籾山 陽一
富士通研究所
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佐藤 成生
富士通研究所
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杉井 寿博
富士通研究所
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久保 智裕
富士通株式会社
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田島 貢
富士通株式会社
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赤坂 泰志
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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森岡 博
富士通株式会社
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福留 秀暢
株式会社富士通研究所
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籾山 陽一
株式会社富士通研究所
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吉田 英司
株式会社富士通研究所
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青山 敬幸
株式会社富士通研究所
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宮下 俊彦
富士通研究所
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新田 博行
株式会社東芝セミコンダクター社
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chou P.H.
Winbond electronics corp.
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橋本 浩一
富士通研究所
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田中 徹
富士通研究所
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奈良 安雄
富士通研究所
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杉井 寿博
富士通研究所 デバイス開発部
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佐藤 成生
富士通研究所先端cmos開発部
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橋本 浩一
富士通
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宮本 真人
富士通
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斎木 孝志
富士通
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福留 秀暢
富士通マイクロエレクトロニクス
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幸山 裕亮
株式会社東芝セミコンダクター社
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青山 敬幸
株式会社富士通研究所:(現)selete
著作論文
- Sub-50nm MOSFETにおけるポリゲート起因キャリア分布ばらつきの抑制(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 大容量メモリ混載システムLSI用低温プロセスの開発(先端CMOS及びプロセス関連技術)
- インバータ特性電流を用いた低消費電力CMOS回路用デバイス設計
- キャパシタレス1T-DRAMのスケーラビリティ : ダブルゲートFinDRAMの提案(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- エネルギー効率からみたパワーゲーティングとDVFSの比較(低電圧・低消費電力ディジタル回路,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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