青山 敬幸 | 株式会社富士通研究所
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概要
関連著者
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青山 敬幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
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青山 敬幸
株式会社富士通研究所
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青山 敬幸
株式会社富士通研究所:(現)selete
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福留 秀暢
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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福留 秀暢
株式会社富士通研究所
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福留 秀暢
富士通マイクロエレクトロニクス
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籾山 陽一
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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久保 智裕
富士通株式会社
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有本 宏
MIRAI-Selete
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有本 宏
富士通株式会社
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籾山 陽一
富士通(株)
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有本 宏
富士通研究所
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森岡 博
富士通(株)
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田島 貢
富士通株式会社
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森岡 博
富士通株式会社
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田川 幸雄
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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籾山 陽一
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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籾山 陽一
株式会社富士通研究所
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吉田 英司
株式会社富士通研究所
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吉田 英司
富士通研究所
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田代 浩子
株式会社富士通研究所
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ピディン セルゲイ
富士通(株)次世代lsi開発事業部
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入野 清
株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部
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森崎 祐輔
株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部
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杉田 義博
株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部
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Pidin Sergey
株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部
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田川 幸雄
富士通株式会社
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鈴木 邦広
株式会社富士通研究所
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ピディン セルゲイ
株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部
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杉田 義博
株式会社富士通研究所
著作論文
- Sub-50nm MOSFETにおけるポリゲート起因キャリア分布ばらつきの抑制(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- HfO_2ゲート絶縁膜特性の前処理依存性
- ゲートLERがsub-50nm N-MOSFETのextension不純物分布へ及ぼす影響の直接評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- SiO_2中のB、P、As、Sbの拡散の雰囲気依存(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- Sub-100nm MOSFETのエクステンション領域におけるキャリア分布評価(先端CMOS及びプロセス関連技術)