有本 宏 | 富士通研究所

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概要

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関連著者

• 有本 宏

  富士通研究所

• 有本 宏

  MIRAI-Selete

• 福留 秀暢

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

• 福留 秀暢

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 青山 敬幸

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 青山 敬幸

  株式会社富士通研究所:(現)selete

• 籾山 陽一

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

• 久保 智裕

  富士通株式会社

• 福留 秀暢

  株式会社富士通研究所

• 青山 敬幸

  株式会社富士通研究所

• 有本 宏

  富士通株式会社

• 籾山 陽一

  富士通(株)

• 中島 尚男

  兵庫大

• 長谷川 繁彦

  阪大・産研

• 長谷川 繁彦

  大阪大学産業科学研究所

• 河村 栄一

  富士通プロセス開発部第1開発部

• 福留 秀暢

  富士通研究所

• 田川 幸雄

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 籾山 陽一

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 河村 栄一

  富士通

• 田代 浩子

  株式会社富士通研究所

• 中島 尚男

  大阪大学産業科学研究所

• 田川 幸雄

  富士通株式会社

• 青山 敬幸

  富士通研究所

• 鈴木 邦広

  富士通研究所

• 田代 浩子

  富士通研究所

• 多田 陽子

  富士通研究所

• 堀内 敬

  富士通研究所

• 福留 秀暢

  (株)富士通研究所

• 久保 智裕

  富士通(株)

• 有本 宏

  富士通(株)

• 中村 智

  富士通研究所

• 星 賢治

  富士通

• 宮田 修一

  富士通

• 中川 健二

  富士通

• 有本 宏

  (株)富士通研究所

• 宮内 栄三

  富士通(株)

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著作論文

• ゲートLERがsub-50nm N-MOSFETのextension不純物分布へ及ぼす影響の直接評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 酸窒化ゲート絶縁膜を用いたPMOSの不均一なボロンの熱抜け
• 微細MOSトランジスタの加工揺らぎが二次元キャリア分布に及ぼす影響の直接測定
• Sub-100nm MOSFETのエクステンション領域におけるキャリア分布評価(先端CMOS及びプロセス関連技術)
• エリプソメトリー法による微細パターンモニター
• 超高真空In-Situ集束イオンビームプロセス

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