長谷川 繁彦 | 大阪大学産業科学研究所
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概要
関連著者
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長谷川 繁彦
大阪大学産業科学研究所
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伊藤 利道
大阪大 大学院工学研究科
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長谷川 繁彦
阪大・産研
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朝日 一
大阪大学 産業科学研究所
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朝日 一
阪大産研
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朝日 一
大阪大学産業科学研究所
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伊藤 利道
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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江村 修一
大阪大学産業科学研究所
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周 逸凱
大阪大学産業科学研究所
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中島 尚男
大阪大学産業科学研究所
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中島 尚男
兵庫大
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藤原 敦志
大阪大学産業科学研究所
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中島 尚男
阪大産研
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藤原 淳志
大阪大学産業科学研究所研
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金 武成
大阪大学産業科学研究所
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木村 重哉
大阪大学産業科学研究所
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崔 誠佑
大阪大学産業科学研究所
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李 輝宰
大阪大学産業科学研究所
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今田 明範
大阪大学産業科学研究所
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石丸 学
大阪大学産業科学研究所
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岩崎 裕
大阪大学産業科学研究所
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末金 皇
大阪大学産業科学研究所
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田中 優数
大阪大学産業科学研究所
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奥井 登志子
大阪大学産業科学研究所
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荒川 勝仁
大阪大学産業科学研究所
-
石丸 学
阪大産研
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上村 明
大阪大学産業科学研究所
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前田 昭徳
愛知工業大学
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落合 鎮康
愛知工業大学
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大橋 朝夫
愛知工業大学
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小嶋 憲三
愛知工業大学
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岡本 昭夫
大阪府立産業技術総合研究所
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高橋 正光
日本原子力研究所放射光科学研究センター
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田村 和久
北海道大学大学院理学研究科
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近藤 敏啓
北海道大学大学院理学研究科
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田中 彰博
アルバック・ファイ(株)
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李 奎毅
大阪大学工学部
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尾浦 憲治郎
大阪大学工学部
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今野 豊彦
阪府大院工
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平井 正明
岡山大学自然科学研究科
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長谷川 和彦
大阪大学大学院工学研究科
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中野 寛之
愛知工業大学
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浦谷 文博
大阪府立産業技術総合研究所
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鈴木 晶雄
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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奥田 昌宏
大阪府立大学工学部電子物理工学科
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松下 辰彦
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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安井 利明
大阪大学大学院基礎工学研究科
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安 振連
岡山大学自然科学研究科
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服部 望
岡山大学自然科学研究科
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森居 隆史
岡山大学自然科学研究科
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日下 征彦
岡山大学自然科学研究科
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岩見 基弘
岡山大学自然科学研究科
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井上 昭浩
福井工業高等専門学校
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吉川 俊夫
愛知工業大学総合技術研究所
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水木 純一郎
日本原子力研究所
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江村 修一
阪大・産研
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吉村 雅満
豊田工業大学
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小嶋 薫
豊田工業大学
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笠原 章
金属材料技術研究所
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吉原 一紘
金属材料技術研究所
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杉本 敏司
大阪大学大学院工学研究科原子分子イオン制御理工学センター
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弘津 禎彦
大阪大学産業科学研究所
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辻 博司
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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石川 順三
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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橋本 和博
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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加地 博子
岡山理科大学工学部
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小林 司
アネルバ(株)プロセス開発研究所
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弘津 禎彦
長岡技科大
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徳田 克彦
阪大・産研
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丹保 浩行
阪大・産研
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周 逸凱
阪大・産研
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朝日 一
阪大・産研
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徐 鍾旭
大阪大学産業科学研究所
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寺山 正敏
大阪大学産業科学研究所
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内田 夏苗
大阪大学産業科学研究所
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松本 武
大阪大学産業科学研究所研
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竹内 晃久
(財)高輝度光科学研究センター
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吉森 昭夫
岡山理科大学
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土佐 正弘
金属材料技術研究所
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清水 克祐
三菱重工業(株)
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内田 悦行
愛知工業大学
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吉嵜 聡
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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武智 誠次
大阪大学大学院工学研究科
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木内 正人
大阪工業技術研究所
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田中 勝敏
大阪大学大学院工学研究科附属超高温理工学研究施設
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美本 和彦
大阪大学大学院工学研究科超高温理工学研究施設
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松本 貴士
大阪大学大学院工学研究科超高温理工学研究施設
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上田 一之
豊田工業大学 ナノハイテクリサーチセンター
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鷹野 一朗
工学院大学電気工学科
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沢田 芳夫
工学院大学電気工学科
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酒井 明
京都大学工学部付属メゾ材料研究センター
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笠井 秀明
大阪大学大学院工学研究科
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高木 望
日本真空技術
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廣木 成治
日本原子力研究所・那珂研究所
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丹澤 貞光
日本原子力研究所・那珂研究所
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野田 耕司
放射線医学総合研究所
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藤本 圭一
大阪大学工学研究科電子工学専攻
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大倉 重治
大阪大学工学研究科電子工学専攻
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本多 信一
大阪大学工学研究科電子工学専攻
-
片山 光浩
大阪大学工学研究科電子工学専攻
-
櫻井 芳昭
大阪府立産業技術総合研究所
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佐藤 吉博
高エネルギー加速器研究機構
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鈴木 芳生
(財)高輝度光科学研究センター
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山本 雅彦
大阪大学大学院工学研究科
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文 元鐵
大阪大学産業科学研究所
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田辺 徹美
高エネルギー加速器研究機構(kek)
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吉信 達夫
大阪大学産業科学研究所
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岡田 隆弘
千葉工業大学精密機械工学科
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山村 泰道
岡山理科大学
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水野 善之
日本バルカー工業(株)
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前橋 兼三
阪大産研
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松田 理
北大工
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広林 茂樹
富山大学工学部
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古橋 秀夫
愛知工業大学 電気学科 情報通信工学専攻
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首藤 健一
横浜国立大学工学部知能物理工学科
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今野 豊彦
東北大学金属材料研究所
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佐藤 和久
東北大学金属材料研究所大阪センター
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藤田 静雄
京都大学大学院
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青山 敬幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
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久保 富夫
高エネルギー加速器研究機構
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関川 健太郎
埼玉大学
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淡路 晃弘
(財)高輝度光科学研究センター
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高野 秀和
(財)高輝度光科学研究センター
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邑瀬 和生
大阪教養
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福留 秀暢
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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福留 秀暢
富士通研究所
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興地 斐男
和歌山工業高等専門学校
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沖村 邦雄
東海大学工学部電子工学科
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星野 英光
大阪府立産業技術総合研究所
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石神 逸男
大阪府立産業技術総合研究所
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三浦 健一
大阪府立産業技術総合研究所
-
水越 朋之
大阪府立産業技術総合研究所
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小林 信一
埼玉大学
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鷹野 一朗
工学院大学
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吉竹 正明
大阪府立産業技術総合研究所
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野坂 俊紀
大阪府立産業技術総合研究所
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大田 暢彦
(株)安川電機 開発研究所
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山納 康
埼玉大学
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壁谷 善三郎
三菱重工業
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溝川 悠介
大阪府立大学総合科学部
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田中 裕輔
大阪大学産業科学研究所
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李 成泰
阪大・産研
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有本 宏
MIRAI-Selete
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中谷 訓幸
富山大学工学部
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田代 浩子
株式会社富士通研究所
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弘津 禎彦
大阪大学産業科学研究所高次制御材料科学研究部門材料機能物性研究分野
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戸部 了己
アネルバ(株)
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守 昭人
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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坂本 淳
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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三津橋 武
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科
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一村 信吾
電子技術総合研究所
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斉藤 茂
東京理科大学工学部電気工学科
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上村 明
愛媛大学工学部電気電子工学科
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須藤 孝一
大阪大学産業科学研究所
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礒野 修治
東京理科大学工学部電気工学科
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山崎 英樹
東京理科大学工学部電気工学科
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村上 伯人
東京理科大学工学部電気工学科
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須東 稔実
東京理科大学工学部電気工学科
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梅沢 朋宏
東京理科大学工学部電気工学科
-
江刺家 大亮
東京理科大学工学部電気工学科
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宗村 哲雄
東京理科大学工学部電気工学科
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柳 正鐸
Department Of Computer And Communication Taeg University
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田村 繁治
経済産業省産業技術総合研究所/(財)高輝度光科学研究センター
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安本 正人
経済産業省産業技術総合研究所
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上條 長生
(財)高輝度光科学研究センター/関西医科大学
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吉沢 寿夫
富山大学工学部
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溝川 悠介
大阪府立大学総合教育研究機構
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前橋 兼三
大阪大学産業科学研究所
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井上 恒一
大阪大学産業科学研究所
-
国分 清秀
電子技術総合研究所
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木村 憲泰
大阪大学産業科学研究所
-
佐藤 正道
大阪大学産業科学研究所
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岩根 正晃
大阪大学理学部
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松田 理
大阪大学理学部
-
邑瀬 和生
大阪大学理学部
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加地 博子
岡山理科大学工学部電子工学科
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大冨 賢一
福岡工業大学
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藤野 俊明
大阪大学工学部電子工学科
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中村 恵
アネルバ株式会社
-
塩川 善郎
アネルバ株式会社
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矢城 陽一朗
岡山理科大学総合情報学部
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本間 禎一
千葉工業大学精密機械工学科
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山淵 龍夫
富山大学工学部
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大橋 朝夫
愛知工業大学電気工学科
-
田川 雅人
神戸大学工学部機械工学科
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千田 勝久
高エネルギー加速器研究機構
-
新垣 良次
高エネルギー加速器研究機構
-
吉沢 盛男
高エネルギー加速器研究機構
-
山崎 登志成
富山大学工学部
-
喜久田 寿郎
富山大学工学部
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西澤 伸一
電子技術総合研究所
-
平田 正紘
電子技術総合研究所
-
高橋 努
東海大学工学部電子工学科
-
青山 敬幸
富士通研究所
-
金持 徹
広島国際学院大学工学部電子工学科
-
福留 秀暢
富士通マイクロエレクトロニクス
-
鈴木 邦広
富士通研究所
-
田代 浩子
富士通研究所
著作論文
- 21aYK-1 稀薄磁性半導体GaCrNにおけるX線直線偏光特性(21aYK 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- パターニングしたSOI基板上のGaNナノロッド成長とその評価(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 半導体ナノスピントロニクス材料創製
- GaNナノロッドの先端先鋭化とその電界電子放出特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- TlInGaAsN系半導体と温度安定波長半導体レーザ
- MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- TlInGaAsN/TlInP量子井戸構造中の自発的ナノスケール相分離
- 走査型トンネル顕微鏡による微細デバイス構造のナノ評価(ナノテクノロジー時代の故障解析技術と解析ツール)
- MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- CS-3-4 強磁性半導体による光半導体スピントロニクスデバイス(CS-3.新原理オプティクスの最近の動向,シンポジウムセッション)
- GaAs(110)微傾斜面上のAlGaAs分子線成長と量子細線構造の形成
- GaAs(001)基板上に成長したInAsドット構造のアニール効果
- 酸窒化ゲート絶縁膜を用いたPMOSの不均一なボロンの熱抜け
- 各種サファイアに対するkeV領域電子線照射効果
- 酸化チタンの高電界印加時の衝突励起現象とその応用
- 化学気相合成ダイヤモンド(100)の表面酸化過程の走査トンネル顕微鏡, 光電子放出顕微鏡及びX線光電子分光による評価
- トリメチルホスフィンを用いたリンドープ気相合成ダイヤモンド薄膜の作製と評価
- 高品質気相合成ダイヤモンド薄膜を用いた高電界印加型p-i-p素子の電気的特性
- 気相合成ダイヤモンド薄膜上におけるプラチナ薄膜の低温形態変化
- ダイヤモンド薄膜表面導入欠陥のカソードルミネッセンス強度への影響
- 走査型トンネル顕微鏡によるAI/Si(111)界面形成過程の研究
- 走査型トンネル顕微鏡によるSi(111)基板表面上のAI薄膜成長初期過程の観察
- 高品質CVDダイヤモンドを用いた高感度検出器の開発
- サマリー・アブストラクト
- 化学気相合成ダイヤモンド上に堆積した有機発光材料α-ナフチルフェニルジアミン薄膜の評価
- 集束イオンビームを用いて加工した高電界印加型ダイヤモンド素子構造における残留ガリウムの電界誘起効果
- 気相合成ダイヤモンド単結晶薄膜における短パルスレーザー励起キャリアの輸送特性
- Si (111) √3-Au構造の角度分解電子エネルギー損失分光
- 表面科学はユビキタス