李 輝宰 | 大阪大学産業科学研究所

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  大阪大学 産業科学研究所

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著作論文

• 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• TlInGaAs系新半導体の成長とTlInGaAs/InPダブルヘテロ構造での室温レーザ発振(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• TlInGaAs/InP ダブルヘテロ構造LED
• TlInGaAs/InPダブルヘテロ構造LED
• Gas-SourceMBE法によるTlInGaAs/InPの結晶成長
• Gas-Source MBE法によるTlInGaAs/InPの結晶成長
• 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• TlInGaAs系新半導体の成長とTlInGaAs/InPダブルヘテロ構造での室温レーザ発振(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

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