浅見 久美子 | 大阪大学産業科学研究所
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概要
関連著者
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朝日 一
大阪大学産業科学研究所
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浅見 久美子
阪大・産研
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権田 俊一
阪大・産研
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浅見 久美子
大阪大学産業科学研究所
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権田 俊一
大阪大学産業科学研究所
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朝日 一
大阪大学 産業科学研究所
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高 秀樹
大阪大学産業科学研究所
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尾江 邦重
NTT光エレクトロニクス研究所
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朝日 一
阪大産研
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岩田 拡也
大阪大学産業科学研究所
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金 成珍
大阪大学産業科学研究所
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筆田 麻祐子
大阪大学産業科学研究所
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竹中 圭一
大阪大学産業科学研究所
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鮒子田 昌広
大阪大学産業科学研究所
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山本 和彦
大阪大学産業科学研究所
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前田 修
大阪大学産業科学研究所
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朝倉 淳
大阪大学産業科学研究所
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周 逸凱
大阪大学産業科学研究所
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李 輝宰
大阪大学産業科学研究所
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反保 衆志
大阪大学産業科学研究所
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小西 健太
大阪大学産業科学研究所
-
綾部 篤志
大阪大学産業科学研究所
-
奥村 滋一
大阪大学産業科学研究所
-
広木 正伸
大阪大学産業科学研究所
-
武本 美紀
大阪大学産業科学研究所
-
盧 柱亨
大阪大学産業科学研究所
著作論文
- Gas-SourceMBE法によるTlInGaAs/InPの結晶成長
- MOMBE法によるMn原子を含むInAs量子ドットの作製とその物性
- Gas-Source MBE法によるTlInGaAs/InPの結晶成長
- 低温ガスソースMBE成長によるGaN-rich GaNPのP組成増大
- GaP/InP 短周期超格子成長による自己形成量子構造
- タリウム系半導体の結晶成長 : 温度無依存バンドギャップ半導体の可能性
- GaAs(N11)基板上GaP/InP短周期超格子中に自己形成された量子ドットの光学特性の改善
- ガスソースMBE成長TlInCaP系の光学的特性
- ガスソースMBE成長TlInGaP系の光学的特性
- 新III-V族半導体TlInGaPのガスソースMBE成長
- MOMBE法によるMn原子を含むInAs量子ドットの作製とその物性
- 低温ガスソースMBE成長によるGaN-rich GaNPのP組成増大
- GaAs(N11)基板上GaP/InP短周期超格子中に自己形成された量子ドットの光学特性の改善