MOMBE法によるMn原子を含むInAs量子ドットの作製とその物性
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概要
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Mn原子を含むInAs量子ドット構造は有機金属分子線エピタキシー法(MOMBE)を用いてGaAs基板上で作製された。Mn原子をあらかじめ蒸着した後、TMIn(trimethylindium)とTDMAAs(trisdimethylaminoarsenic)を供給した。Mn原子を含む大きいサイズのドットとS-Kモード成長の小さいサイズのドットが表面に形成された。小さいサイズのドットはBDMAAsCl(bisdimethylaminoarsenicchloride)を用いてin situでエッチングされ、Mn原子を含む大きいサイズのドットのみが残った。それらは原子力顕微鏡(AFM)と磁気力顕微鏡(MFM)によって確認された。SQUIDを用いた磁化測定により、Mn原子を含むInAsドットの磁化容易軸はGaAsの面に垂直の方向にあることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-10-21
著者
-
朝倉 淳
大阪大学産業科学研究所
-
朝日 一
大阪大学 産業科学研究所
-
朝日 一
大阪大学産業科学研究所
-
周 逸凱
大阪大学産業科学研究所
-
浅見 久美子
阪大・産研
-
権田 俊一
阪大・産研
-
浅見 久美子
大阪大学産業科学研究所
-
権田 俊一
大阪大学産業科学研究所
-
奥村 滋一
大阪大学産業科学研究所
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